Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 970 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł IGBT 4 Styki wciskane F1-4PACK z wstępnie naniesionym materiałem termoizolacyjnym (TIM) (bez zawartości Pb i bez (1 Oferta) 
Liczba tranzystorów = 4
onsemi
NXH040F120MNF1PTG
od PLN 404,054*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 21A; 350W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 107ns Czas wyłączani...
IXYS
IXGH32N170A
od PLN 71,14*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 515 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 7
Infineon
FP100R12KT4BOSA1
od PLN 826,026*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; HiPerFAST™; 900V; 50A; 400W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 48ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXGH50N90B2
od PLN 22,58*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 2300 V PRIME3+ 2700 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2300 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2700 kW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu...
Infineon
SP005349542
od PLN 6 482,661*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 37ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GP90B2DQ2G
od PLN 77,44*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,2 kA Uce 1200 V 2 PRIME2 Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Podwójny moduł IGBT pakietu Infineon z technologią połączeń międzysystemowych IGBT5 i .XT. Ma on napięcie emitera kolektora 1200 V. Moduły N-Channel TRENCHSTOP i FIELD STOP IGBT nadają się do zasto...
Infineon
FF1200R12IE5PBPSA1
od PLN 2 641,859*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania: 4...
IXYS
IXGT24N170A
od PLN 35,91*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT AG-ECONO2B-411 (1 Oferta) 
Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
TDB6HK180N16RRB11BPSA1
od PLN 589,541*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GR120SD15
od PLN 33,14*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V Moduł 355 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 355 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = ...
Infineon
FS75R12KT3GBOSA1
od PLN 7 630,36*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT64GA90LD30
od PLN 49,21*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 4500 V. 3 AG-IHVB190 4000 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 4500 V. Maksymalna strata mocy = 4000 kW Typ opakowania = AG-IHVB190
Infineon
FZ1800R45HL4S7BPSA1
od PLN 8 948,18*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 24A Czas załączania: 85ns Czas wyłączania: 0,...
IXYS
IXGT6N170
od PLN 32,93*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,5 kA Uce 1200 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Podwójny moduł IGBT pakietu Infineon z technologią połączeń międzysystemowych IGBT5 i .XT. Ma on napięcie emitera kolektora 1200 V. Moduły N-Channel TRENCHSTOP i FIELD STOP IGBT nadają się do zasto...
Infineon
FF1500R12IE5BPSA1
od PLN 3 430,75*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   141   142   143   144   145   146   147   148   149   150   151   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.