 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GR120BD15 |
od PLN 28,68*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) Typ opakowania = DIP38 Typ montażu = Montaż na śrubie |
|
od PLN 38,897*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 54ns C... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1 |
od PLN 29,28*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V 2 94x34mm Dwa 775 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 775 W Typ opakowania = 94x34mm Konfiguracja tra... |
Mitsubishi CM100DY-13T300G |
od PLN 363,276*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 5A; 140W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 20A Czas załączania: 107ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 21,42*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 91,38*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 40A; 500W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 47ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GR120B2D30 |
od PLN 39,69*
za szt. |
|
|
|
Infineon FF1500R17IP5PBPSA1 |
od PLN 3 646,159*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262 (1 Oferta) Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE... |
|
od PLN 14,67*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) Typ opakowania = DIP38 Typ montażu = Montaż na śrubie |
|
od PLN 352,51*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 2,5kV; 25A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 301ns Czas wyłączani... |
|
od PLN 169,96*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V Moduł 335 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 335 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M... |
|
od PLN 613,233*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 77ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GT120LRG |
od PLN 71,92*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 515 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 515 W |
Infineon FP100R12KT4B11BOSA1 |
od PLN 825,006*
za szt. |
|
|
|
Infineon FF1800R12IE5PBPSA1 |
od PLN 3 956,071*
za szt. |
|
|
