Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 970 ofert spośród 4 927 652 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26n...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GR120BD15
od PLN 28,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) 
Typ opakowania = DIP38 Typ montażu = Montaż na śrubie
onsemi
NFAQ0860L33T
od PLN 38,897*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4 (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 54ns C...
BASiC SEMICONDUCTOR
BGH50N65ZF1
od PLN 29,28*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V 2 94x34mm Dwa 775 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 775 W Typ opakowania = 94x34mm Konfiguracja tra...
Mitsubishi
CM100DY-13T300G
od PLN 363,276*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 5A; 140W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 20A Czas załączania: 107ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXGH10N170A
od PLN 21,42*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 10 Uce 600 V 6 Moduł PowerDIP 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł PowerDIP Typ montażu = Otwór przezierny Typ kanału = N Konfiguracja ...
Mitsubishi
PSS10S92F6-AG
od PLN 91,38*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 40A; 500W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 47ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT40GR120B2D30
od PLN 39,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,5 kA Uce 1700 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,5 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = PRIME3+ Typ kanału = N...
Infineon
FF1500R17IP5PBPSA1
od PLN 3 646,159*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
AUIRGSL4062D1
od PLN 14,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) 
Typ opakowania = DIP38 Typ montażu = Montaż na śrubie
onsemi
NFVA22512NP2T
od PLN 352,51*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 2,5kV; 25A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 301ns Czas wyłączani...
IXYS
IXGH25N250
od PLN 169,96*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V Moduł 335 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 335 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
FP100R06KE3BOSA1
od PLN 613,233*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 77ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GT120LRG
od PLN 71,92*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 515 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 515 W
Infineon
FP100R12KT4B11BOSA1
od PLN 825,006*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 1200 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = PRIME3+ Typ kanału = N...
Infineon
FF1800R12IE5PBPSA1
od PLN 3 956,071*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   141   142   143   144   145   146   147   148   149   150   151   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.