Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 970 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 26 A Uce 600 V PG-TO263-3 130 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 26 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 130 W Typ opakowania = PG-TO263-3 Liczba styków...
Infineon
IGB15N60TATMA1
od PLN 3,253*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 90A Prąd kolektora w impulsie: 420A Moc...
IXYS
IXYN100N65C3H1
od PLN 97,98*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 26 A Uce 600 V PG-TO263-3 130 W (1 Oferta) 
Niskostratnego tranzystora dwubiegunowego z izolowaną bramką Infineon i technologią Fieldstop.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elektromagn...
Infineon
IGB15N60TATMA1
od PLN 5,216*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM195GB066D 22890052
od PLN 317,00*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 26 A Uce 600 V 1 DO-220-3 130 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 26 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = DO-220-3
Infineon
IGP15N60TXKSA1
od PLN 3,44*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 A Uce 1200 V 2 1,6 kW (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2
Infineon
FF300R12KT4HOSA1
od PLN 587,053*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1100 V 1 TO-247 (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1100 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 5.8V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Montaż po...
Infineon
SP005727472
od PLN 8,416*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1100 V 1 TO-247 (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1100 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 5.8V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Montaż po...
Infineon
SP005727472
od PLN 10,058*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 3,75kV; Gull wing 8 (2 ofert) 
Producent: BROADCOM (AVAGO) Montaż: SMD Obudowa: Gull wing 8 Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 3,75kV Szybkość narastania napięcia: 35kV/μs Seria producenta: HCPL-...
Broadcom
HCPL-J312-300E
od PLN 6,51*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 281 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 1,09 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 281 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 1,09 kW Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu...
Vishay
VS-GT180DA120U
od PLN 162,44*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 3,75kV; SO8; 35kV/μs (1 Oferta) 
Producent: BROADCOM (AVAGO) Montaż: SMD Obudowa: SO8 Czas załączania: 50ns Czas wyłączania: 50ns Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 3,75kV Szybkość narastania napię...
Broadcom
HCPL-0314-000E
od PLN 5,81*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GB12T4 22892040
od PLN 376,09*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DGC11
od PLN 19,214*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 35A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 11kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 35A Prąd ko...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 24AC126V1 25230080
od PLN 600,55*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
ROHM Field stop trench IGBT używane głównie w falowniku, UPS, falowniku PV i kondycjonerze mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwar...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DGC11
od PLN 19,529*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.