Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 971 ofert spośród 4 924 824 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 781 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu =...
Vishay
VS-GT90DA120U
od PLN 114,182*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A; AG-62MM (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w...
Infineon
FZ600R12KE3HOSA1
od PLN 845,04*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 781 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu =...
Vishay
VS-GT90DA120U
od PLN 136,787*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; mostek 1-fazowy diodowy; Ic: 30A (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-EASY1B-1 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w i...
Infineon
FB30R06W1E3BOMA1
od PLN 111,91*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 650 V 1 TO-247 Pojedynczy kanał: P 455 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 455 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Ot...
onsemi
FGH75T65SHDTL4
od PLN 13,925*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 160A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w impulsie: 1,05kA...
IXYS
IXGN200N170
od PLN 251,54*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V PG-TO247-4-2 938 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 938 W Typ opakowania = PG-TO247-4-2
Infineon
IKY75N120CH3XKSA1
od PLN 51,115*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 100A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 490A Mo...
IXYS
IXYN100N65B3D1
od PLN 100,94*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 187 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 890 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 187 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu = Montaż...
Vishay
VS-GT100DA120UF
od PLN 128,075*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 187 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 890 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 187 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 890 W Typ opakowania = SOT-227 Typ montażu =...
Vishay
VS-GT100DA120UF
od PLN 144,844*
za szt.
 
 szt.
Infineon BSC018NE2LS tranzystor 25 V (1 Oferta)
Infineon
BSC018NE2LSATMA1
od PLN 2,838*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 75A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 680A Mo...
IXYS
IXBN75N170
od PLN 334,26*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 160 A Uce 600 V 1 PG-TO247 Pojedynczy kanał: N 833 W (1 Oferta) 
Infineon IKQ120N60T ma 600 V twarde przełączanie IGBT dyskretne z anty-równoległą diodą używane wyższe gęstości energii układu IC, które zwiększają utrzymanie tej samej wydajności cieplnej systemu ...
Infineon
IKQ120N60TXKSA1
od PLN 33,371*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 75A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 360A Moc...
IXYS
IXYN75N65C3D1
od PLN 96,45*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 1899-12-31 08:00:00 Uce 650 V 1 TO-220 kanał: N 13,7 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1899-12-31 08:00:00 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 13,7 W Typ opakowania = T...
Infineon
IKA08N65ET6XKSA1
od PLN 2,80*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.