Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 971 ofert spośród 4 924 824 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 20 A Uce 600 V 1 TO-247 192 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 192 W Typ opakowania = TO-247
Bourns
BIDW20N60T
od PLN 9,365*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 300A; D59 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GA12T4 22892120
od PLN 427,16*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 169 A Uce 1200 V 1 SOT-227 kanał: N 781 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 169 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Monta...
Vishay
VS-GT90SA120U
od PLN 123,128*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 98A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 98A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Moc...
IXYS
IXXN200N60B3H1
od PLN 136,02*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 1899-12-31 08:00:00 Uce 650 V 1 TO-220 kanał: N 70 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1899-12-31 08:00:00 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 70 W Typ opakowania = TO-...
Infineon
IKP08N65H5XKSA1
od PLN 4,94*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS6 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM50GD125D 21918010
od PLN 856,57*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 600 V 1 TO-247 192 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 192 W Typ opakowania = TO-247
Bourns
BIDW20N60T
od PLN 5 250,93*
za 600 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 600V; Ic: 140A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 140A Prąd kolektora w impulsie: 750A M...
IXYS
IXYN150N60B3
od PLN 143,67*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.08 mW (1 Oferta) 
Wytrzymałe tranzystory IGBT firmy STMicroelectronics do zwarć łączą w sobie nowe funkcje kontroli ICS firmy ST z odporną na zwarcia bramką do rowów z ogranicznikiem polowym IGBT, co czyni je przyda...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-LZ
od PLN 80,08*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 46A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 380A Mo...
IXYS
IXYN82N120C3
od PLN 137,38*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 1899-12-31 06:00:00 Uce 600 V 1 TO-263 kanał: N 88 W (3 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1899-12-31 06:00:00 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 88 W Typ opakowania = TO-263 Typ...
Infineon
IKB06N60TATMA1
od PLN 2,848*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 200A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 1,2kA M...
IXYS
IXXN200N65A4
od PLN 81,78*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 2,2 A Uce 600 V 1 PG-SOT223-3 5,1 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 2,2 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 5,1 W Typ opakowania = PG-SOT223-3
Infineon
IKN01N60RC2ATMA1
od PLN 1,512*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 50A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 15kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd ko...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 25AC12T4V1 25231550
od PLN 585,12*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 600 V SDIP2B Szereg 0.08 mW (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 600V Maksymalna strata mocy = 0.08 mW Typ opakowania = SDIP2B Liczba styków =...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-LZ
od PLN 39,67*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.