Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 971 ofert spośród 4 924 830 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mo...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
od PLN 8 285,26*
za 10 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 20 A Uce 2,05 V 7 DIP kanał: N 63.1 W (1 Oferta) 
Rodzina produktów Infineon CIPOS IM564 oferuje możliwość integracji różnych komponentów zasilania i sterowania falownika i jednostopniowego układu PFC w celu zwiększenia niezawodności i optymalizac...
Infineon
IM564X6DXKMA1
od PLN 52,42*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GB12T4 22892080
od PLN 989,52*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 125 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 125 W Typ opakowania = TO-263 Typ montaż...
Infineon
IGB20N65S5ATMA1
od PLN 3,836*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek H; Urmax: 1,2kV; Ic: 21A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 3...
Powersem
PSHI 25/12
od PLN 96,05*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 750 V 3 TO247PLUS 1,07 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Liczba tranzystorów = 3 Typ opakowania = TO247PLUS
Infineon
AIKQ200N75CP2XKSA1
od PLN 14 052,54*
za 240 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 110A Prąd kolektora w impulsie: 470A Mo...
IXYS
IXXN110N65C4H1
od PLN 102,20*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V TO247-3LD kanał: N 1,07 kW (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 1,07 kW Typ opakowania = TO247-3LD Typ montaż...
onsemi
FGY100T120RWD
od PLN 40,42*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 20 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 150 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 150 W Typ opakowania = PG-TO252 Typ kanału = N L...
Infineon
IKD10N60RATMA1
od PLN 3,538*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM50GB12T4 22892000
od PLN 187,65*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FP200R12N3T7B11BPSA1
od PLN 819,70*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GB12V 22892083
od PLN 972,04*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 220 A Uce 950 V 6 EasyPACK kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
3-pozioniowy moduł IGBT Infineon 400A charakteryzuje się bardzo niskimi stratami przełączania i miękkim wyłączaniem. Spełnia odpowiednie normy 1500V falownika PV. Zapewnia wystarczającą odległość p...
Infineon
F3L400R10W3S7FB11BPSA1
od PLN 905,989*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 650V Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 90A Prąd kolektora w impulsie: 420A Moc...
IXYS
IXYN100N65C3H1
od PLN 97,82*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 200 A Uce 650 V 2 ECOPACK kanał: NPN 714 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = ECOPACK Typ montażu = M...
ST Microelectronics
STGSB200M65DF2AG
od PLN 10 849,05*
za 200 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.