Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 979 ofert spośród 4 840 908 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 70A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 18,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 70A Prąd ...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 26AC12T4V1 25231400
od PLN 815,28*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 23 A Uce 650 V 1 TO-3PFM Wspólny nadajnik kanał: N 85 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 23 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-3PFM Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGTV80TK65GVC11
od PLN 6 522,6015*
za 450 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor,wspólny emiter; IGBT x2 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor;wspólny emiter Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A...
Infineon
FF200R12KT3EHOSA1
od PLN 409,84*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 231 W (2 ofert) 
Seria Infineon IHW z odwróconymi diodami IGBT 1200 V, 25 A z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247, skupiającym się na wydajności i niezawodności systemu dla wymagających wymagań gotow...
Infineon
IHW25N120E1XKSA1
od PLN 7,645*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 169A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM150GB12VG 22892052
od PLN 590,35*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 247 A Uce 650 V 2 INT-A-PAK kanał: N 517 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 247 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ± 20V Maksymalna strata mocy = 517 W Typ opakowania = INT-A-PAK Typ montażu ...
Vishay
VS-GT100TS065S
od PLN 282,791*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM50GB12T4 22892000
od PLN 188,37*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = ...
Infineon
IKW25N120CS7XKSA1
od PLN 23,418*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 75A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX®13 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impu...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX71GD12E4S 27890190
od PLN 476,49*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 DO-247-3 Pojedynczy kanał: N 250 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 250 W Typ opakowania = DO-247-3 Typ montażu = ...
Infineon
IKW25N120CS7XKSA1
od PLN 16,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 14A (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 14A Prąd kolektora w impulsie: 2...
Powersem
PSII 15/12
od PLN 104,73*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 7 kanał: N 160 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 160 W Konfiguracja = Emiter wspólny Typ montaż...
Infineon
FP25R12KT4BPSA1
od PLN 417,12*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 319A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GB12V 22892073
od PLN 1 183,91*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 25 A Uce 1200 V 1 TO-247 kanał: N 231 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 25 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 231 W Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Li...
Infineon
IHW25N120E1XKSA1
od PLN 8,347*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 A Uce 1200 V 2 1,6 kW (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2
Infineon
FF300R12KT4HOSA1
od PLN 587,903*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   ..   266   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.