Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 954 ofert spośród 4 918 941 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora...
Infineon
FF200R12KE4PHOSA1
od PLN 396,88*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2HRC11
od PLN 16,391*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 3,75kV; SO6; 50kV/μs (1 Oferta) 
Producent: BROADCOM (AVAGO) Montaż: SMD Obudowa: SO6 Czas załączania: 43ns Czas wyłączania: 40ns Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 3,75kV Cena jednostkowa: Nie Szy...
Broadcom
ACPL-P340-000E
od PLN 9,97*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1350 V 1 TO-247 kanał: N 330 W (2 ofert) 
Seria Infineon IHW z odwrócającym przewodnikiem IGBT z monolitycznie zintegrowaną diodą w PAKIECIE TO-247, skupiającym się na wydajności i niezawodności systemu dla wymagających wymagań gotowania i...
Infineon
IHW30N135R5XKSA1
od PLN 9,305*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 5,3kV; Gull wing 8 (2 ofert) 
Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: Gull wing 8 Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 5,3kV Cena jednostkowa: Nie #Akcje #promocyjne: aac_202202 Typ optoizolatora: ...
Vishay
VO3150A-X007T
od PLN 3,21*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DGC11
od PLN 19,244*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GB125D 22890620
od PLN 1 163,93*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ kanału = N Liczba s...
Infineon
IKD15N60RFATMA1
od PLN 3,547*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 324A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GBD12T4 22892212
od PLN 811,67*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1350 V 1 TO-247 kanał: N 330 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba st...
Infineon
IHW30N135R5XKSA1
od PLN 9,63*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 4,243kV; SO16; 35kV/μs (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: SO16 Czas załączania: 34ns Czas wyłączania: 34ns Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 4,243kV Cena jednostkowa: Nie Szybkość na...
onsemi
FOD8316
od PLN 19,61*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 5kV; Gull wing 8 (1 Oferta) 
Producent: BROADCOM (AVAGO) Montaż: SMD Obudowa: Gull wing 8 Czas załączania: 0,1µs Czas wyłączania: 0,1µs Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 5kV Cena jednostkowa: ...
Broadcom
ACNW3190-300E
od PLN 11,38*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2GC11
od PLN 14,409*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: HUAJING Obudowa: V3 62MM Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie: 600...
HUAJING
HFGM300D12V3
od PLN 420,54*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-247N 230 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N
Bourns
BIDNW30N60H3
od PLN 10,318*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.