Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 971 ofert spośród 4 924 824 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 Pojedynczy kanał: N 156 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25V Maksymalna strata mocy = 156 W Typ opakowania = PG-TO247 Typ kanału = N ...
Infineon
IHW15N120E1XKSA1
od PLN 7,239*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 63A Prąd kolektora w impulsie: 1...
Powersem
PSI 100/06
od PLN 132,03*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 PG-TO247 Pojedynczy kanał: N 156 W (2 ofert) 
Monolityczna dioda Infineon IHW15N120E1 o niskim napięciu do przodu, przeznaczona wyłącznie do delikatnego komutacji, charakteryzuje się wysoką stabilizację, stabilizację temperatury i niskim napię...
Infineon
IHW15N120E1XKSA1
od PLN 6,702*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,7kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w im...
SEMIKRON DANFOSS
SKM100GB176D 22890855
od PLN 419,60*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2GC11
od PLN 14,419*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora...
Infineon
FF200R12KE4PHOSA1
od PLN 395,98*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
Układ ROHM z ogranicznikiem polowym IGBT używany głównie w układzie PFC, UPS, IH i układzie kondycjonera mocy. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wy...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2GC11
od PLN 15,562*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: HUAJING Obudowa: V3 62MM Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w impulsie: 600...
HUAJING
HFGM300D12V3
od PLN 423,96*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
ROHM Field stop trench IGBT używany głównie w falowniku i do zastosowań motoryzacyjnych i przemysłowych. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzyma...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DHRC11
od PLN 21,273*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GB066D 21915520
od PLN 850,82*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2DHRC11
od PLN 20,448*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 150A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM145GB066D 22890045
od PLN 276,47*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V PG-TO247-3 200 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 25 V, ±20 V Maksymalna strata mocy = 200 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczb...
Infineon
IKW15N120BH6XKSA1
od PLN 7,833*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 324A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GBD12T4 22892212
od PLN 812,00*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V PG-TO247-3 200 W (1 Oferta) 
Dwubiegunowy tranzystor izolowany Infineon szóstej generacji z serii szybkich przełączników miękkich.Wysoka sprawność Niskie straty przy przełączaniem Zwiększona niezawodność Niskie zakłócenia elek...
Infineon
IKW15N120BH6XKSA1
od PLN 8,545*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.