Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 969 ofert spośród 4 927 660 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 267 W Typ opakowania = TO-247N Liczba styków = 3
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2HRC11
od PLN 16,261*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 5kV; SO8; 50kV/μs (1 Oferta) 
Producent: BROADCOM (AVAGO) Montaż: SMD Obudowa: SO8 Czas załączania: 22ns Czas wyłączania: 18ns Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 5kV Szybkość narastania napięcia...
Broadcom
ACPL-K342-000E
od PLN 10,64*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V 1 TO-247N 267 W (1 Oferta) 
ROHM Field stop trench IGBT używany głównie jako grzejnika dla motoryzacji. Rozpraszanie mocy wynosi 267 Watts.Niski kolektor - napięcie nasycenia emitera Czas wytrzymania zwarcia 10 μs Zgodność z ...
ROHM Semiconductor
RGS30TSX2HRC11
od PLN 17,539*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 241A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM200GB12T4 22892060
od PLN 540,09*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 250 W (2 ofert) 
Infineon IKD03N60RF jest bardziej niezawodny ze względu na monolitycznie zintegrowany IGBT i diodę ze względu na mniejsze cykle termiczne podczas przełączania. Charakteryzuje się płynnym przełączan...
Infineon
IKD15N60RFATMA1
od PLN 3,206*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 70A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: MiniSKiiP® 2 Moc: 18,5kW Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 70A Prąd ...
SEMIKRON DANFOSS
SKIIP 26AC12T4V1 25231400
od PLN 810,62*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 PG-TO252 Pojedynczy kanał: N 250 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = PG-TO252 Typ kanału = N Liczba s...
Infineon
IKD15N60RFATMA1
od PLN 3,527*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 5kV; Gull wing 8 (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: SMD Obudowa: Gull wing 8 Czas załączania: 60ns Czas wyłączania: 60ns Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 5kV Szybkość narastania napięcia: ...
onsemi
FOD3120SDV
od PLN 4,56*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 1350 V 1 TO-247 kanał: N 330 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1350 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ kanału = N Liczba st...
Infineon
IHW30N135R5XKSA1
od PLN 9,61*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 2; OUT: sterownik IGBT; Uizol: 5kV; Uce: 30V (1 Oferta) 
Producent: TOSHIBA Montaż: SMD Obudowa: SO16-W Napięcie kolektor-emiter: 30V Prąd kolektora: 3,5mA Czas załączania: 32ns Czas wyłączania: 18ns Liczba kanałów: 2 Ilość pinów: 16 Rodzaj wyjścia: ster...
Toshiba
TLP5214(TP.E(O
od PLN 25 067,13*
za 1 500 szt.
 
 opakowanie
IGBT Ic 30 A Uce 1200 V TO-247 Pojedynczy kanał: N 110 W (1 Oferta) 
Infineon TrenchStop tranzystory IGBT, 1100 do 1600. Seria tranzystorów IGBT firmy Infineon z wartościami napięcia znamionowymi emitera emitującego światło kolekcjonerskie od 1100 do 1600 V, wyposaż...
Infineon
IGW15T120FKSA1
od PLN 351,5802*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 21A Prąd kolektora w impulsie: 3...
Powersem
PSI 25/12
od PLN 71,97*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-247N 230 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N
Bourns
BIDNW30N60H3
od PLN 9,843*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; mostek 3-fazowy IGBT; Ic: 75A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMIX®13 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impu...
SEMIKRON DANFOSS
SEMIX71GD12E4S 27890190
od PLN 475,01*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 600 V 1 TO-247N 230 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 230 W Typ opakowania = TO-247N
Bourns
BIDNW30N60H3
od PLN 10,308*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.