![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65EHRC11 |
od PLN 18,435* za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH30N65WR5XKSA1 |
od PLN 216,2202* za 30 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 11A; 60W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Prąd kolektora: 11A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 60W Rodzaj opakowania: tuba |
|
od PLN 7,30* za szt. |
|
|
|
Infineon IKWH30N65WR6XKSA1 |
od PLN 7,887* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 521,94* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65HRC11 |
od PLN 16,75* za szt. |
|
|
|
Infineon FF200R12KE4PHOSA1 |
od PLN 394,96* za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO247-3 185 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 185 W Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 7,289* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; 1,25kV; 20A; 259W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,25kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 80A Typ tranzystora: IGBT M... |
ST Microelectronics STGW20IH125DF |
od PLN 9,09* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65DHRC11 |
od PLN 16,628* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 10,60* za szt. |
|
|
|
ROHM Semiconductor RGW60TS65CHRC11 |
od PLN 39,042* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 123,24* za szt. |
|
|
IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO247-3 185 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 185 W Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 6,091* za szt. |
|
|
|
SEMIKRON DANFOSS SKM300GBD12T4 22892212 |
od PLN 809,65* za szt. |
|
|