Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 969 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 178 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65EHRC11
od PLN 18,435*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 95 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247-3-HCC Typ montażu = Otwó...
Infineon
IKWH30N65WR5XKSA1
od PLN 216,2202*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 11A; 60W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Prąd kolektora: 11A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 60W Rodzaj opakowania: tuba
Infineon
IRG4PH20KPBF
od PLN 7,30*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247-3-HCC Pojedynczy kanał: N 83 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Konfiguracja = Pojedyncza Typ montażu = Otwór pr...
Infineon
IKWH30N65WR6XKSA1
od PLN 7,887*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-ECONOD-3 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 450A Prąd kolekto...
Infineon
FF450R06ME3
od PLN 521,94*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65HRC11
od PLN 16,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Obudowa: AG-62MM-1 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora...
Infineon
FF200R12KE4PHOSA1
od PLN 394,96*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO247-3 185 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 185 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW30N65WR5XKSA1
od PLN 7,289*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 1,25kV; 20A; 259W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,25kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 20A Prąd kolektora w impulsie: 80A Typ tranzystora: IGBT M...
ST Microelectronics
STGW20IH125DF
od PLN 9,09*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 178 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65DHRC11
od PLN 16,628*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 50 A, 100 (Pulsed) A Uce 1200 V 1 TO-247 Pojedynczy 348 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A, 100 (Pulsed) A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247 Typ mon...
Diodes
DGTD120T25S1PT
od PLN 10,60*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 178 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65CHRC11
od PLN 39,042*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 600V (1 Oferta) 
Producent: POWERSEM Obudowa: ECO-PAC 2 Napięcie wsteczne maks.: 0,6kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 83A Prąd kolektora w impulsie: 2...
Powersem
PSI 130/06
od PLN 123,24*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V PG-TO247-3 185 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 185 W Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW30N65WR5XKSA1
od PLN 6,091*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 324A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GBD12T4 22892212
od PLN 809,65*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.