Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 969 ofert spośród 4 927 660 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 310 A Uce 950 V Moduł EasyPACK 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 310 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł EasyPACK
Infineon
SP005434947
od PLN 909,421*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 11A; 60W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Prąd kolektora: 11A Typ tranzystora: IGBT Moc rozpraszana: 60W Rodzaj opakowania: tuba Właściwości elem...
Infineon
IRG4PH20KDPBF
od PLN 8,73*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Liczba tranzystorów = 1 Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Otwór prz...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65HRC11
od PLN 14,065*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-247N Wspólny nadajnik kanał: N 178 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±30V Maksymalna strata mocy = 178 W Typ opakowania = TO-247N Typ montażu = Ot...
ROHM Semiconductor
RGW60TS65EHRC11
od PLN 21,685*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 3,75kV; Gull wing 8 (3 ofert) 
Producent: BROADCOM (AVAGO) Montaż: SMD Obudowa: Gull wing 8 Czas załączania: 50ns Czas wyłączania: 3µs Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 3,75kV Szybkość narastani...
Broadcom
HCPL-3120-300E
od PLN 6,06*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 310 A Uce 950 V Moduł EasyPACK 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 310 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł EasyPACK
Infineon
SP005434947
od PLN 5 982,66804*
za 6 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 300A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GB125D 22890626
od PLN 2 022,58*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 34 A Uce 600 V 1 D2PAK 100 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 34 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 100 W Typ opakowania = D2PAK
Infineon
AUIRG4BC30SSTRL
od PLN 21,502*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; 1,2kV; 20A; 125W; TO247; 0,82mJ (1 Oferta) 
Producent: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Napięcie nasycenia kol.-emit.: 1,75V Prąd kolektora: 20A Prąd kolekt...
Alpha & Omega Semiconductor
AOK20B120E2
od PLN 8,12*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 188 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 188 W Typ opakowania = TO-263 Typ montaż...
Infineon
IKB30N65ES5ATMA1
od PLN 7,174*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 30 A Uce 650 V 1 TO-263 kanał: N 188 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 30 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20 V, ±30V Maksymalna strata mocy = 188 W Typ opakowania = TO-263 Typ montaż...
Infineon
IKB30N65EH5ATMA1
od PLN 7,174*
za szt.
 
 szt.
Transoptor; SMD; Ch: 1; OUT: sterownik IGBT; 3,75kV; SO6; 50kV/μs (1 Oferta) 
Producent: BROADCOM (AVAGO) Montaż: SMD Obudowa: SO6 Czas załączania: 43ns Czas wyłączania: 40ns Liczba kanałów: 1 Rodzaj wyjścia: sterownik IGBT Napięcie izolacji: 3,75kV Szybkość narastania napię...
Broadcom
ACPL-P340-000E
od PLN 9,89*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 34 A Uce 600 V 1 D2PAK 100 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 34 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 100 W Typ opakowania = D2PAK
Infineon
AUIRG4BC30SSTRL
od PLN 11 944,616*
za 800 szt.
 
 opakowanie
Moduł: IGBT; tranzystor/tranzystor; półmostek IGBT; Urmax: 1,2kV (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: tranzystor/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM400GB12E4 22892087
od PLN 912,21*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 34 A Uce 650 V 1 PG-TO220 Pojedynczy kanał: N 35.3 W (1 Oferta) 
Infineon IKA10N65ET6 to dobra wydajność termiczna, zwłaszcza przy wyższych częstotliwościach oraz zwiększonej marży konstrukcyjnej i niezawodności. Jest to bardzo miękka, szybko odzyskana antyrówno...
Infineon
IKA15N65ET6XKSA2
od PLN 5,619*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.