Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 971 ofert spośród 4 924 824 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FS150R12N2T7B54BPSA1
od PLN 529,66*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 42A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: IXYS Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 42A Prąd kolektora w impulsie: 100A Za...
IXYS
IXBN75N170A
od PLN 205,97*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 153 A Uce 25 V PG-TDSON-8 kanał: N 2,5 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 153 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 25 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2,5 W Typ opakowania = PG-TDSON-8 Typ montażu =...
Infineon
BSC018NE2LSATMA1
od PLN 2,24*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 34A; SOT227B (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 34A Prąd kolektora w ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT45GP120JDQ2
od PLN 145,25*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V PG-TO247-4-2 938 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 938 W Typ opakowania = PG-TO247-4-2
Infineon
IKY75N120CH3XKSA1
od PLN 45,526*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 324A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS3 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 324A Prąd kolektora w impuls...
SEMIKRON DANFOSS
SKM300GAR12E4 22892418
od PLN 482,74*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V Max247 750 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 750 W Typ opakowania = Max247 Typ montażu = O...
ST Microelectronics
STGYA75H120DF2
od PLN 35,70*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 400A; D59 (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 400A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA125D 21915560
od PLN 1 262,72*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Mostek 3 fazowy Typ mont...
Infineon
FP150R12KT4BPSA1
od PLN 885,641*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,7kV; Ic: 775A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,7kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 775A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM600GA17E4 22895080
od PLN 889,59*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 160 A Uce 600 V PG-TO247-3-46 714 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 160 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = PG-TO247-3-46 Liczba st...
Infineon
IKQ100N60TXKSA1
od PLN 33,017*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; pojedynczy tranzystor; Urmax: 1,2kV; Ic: 600A (1 Oferta) 
Producent: SEMIKRON DANFOSS Obudowa: SEMITRANS4 Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: pojedynczy tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 600A Prąd kolektora w i...
SEMIKRON DANFOSS
SKM800GA125D 03071 21915710
od PLN 2 298,57*
za szt.
 
 szt.
Moduł: IGBT; dioda/tranzystor; buck chopper; Urmax: 1,2kV; Ic: 75A (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Obudowa: SOT227B Napięcie wsteczne maks.: 1,2kV Struktura półprzewodnika: dioda/tranzystor Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impul...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GT120JU3
od PLN 161,03*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V TO247-3LD kanał: N 714 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 714 W Typ opakowania = TO247-3LD Typ montażu ...
onsemi
FGY75T120SWD
od PLN 26,44*
za szt.
 
 szt.
IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 7 Moduł 3-fazy kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż w ...
Infineon
FP150R12N3T7BPSA1
od PLN 716,692*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.