Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 970 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 134ns Czas wyłączania: ...
IXYS
IXYT80N90C3
od PLN 30,64*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,5 kA Uce 1700 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Podwójny moduł IGBT pakietu Infineon z technologią połączeń międzysystemowych IGBT5 i .XT. Ma on napięcie emitera kolektora 1700 V. Moduły N-Channel TRENCHSTOP i FIELD STOP IGBT nadają się do stero...
Infineon
FF1500R17IP5BPSA1
od PLN 3 560,709*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 91A; 1042W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 91A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 60ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GP120B2G
od PLN 104,98*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) 
ON Semiconductor NFVA22512NP2T to Advanced Auto IPM, który zapewnia w pełni funkcjonalny, wysokowydajny układ wyjściowy falownika do pojazdów hybrydowych i elektrycznych.Wbudowany termistor NTC do ...
onsemi
NFVA22512NP2T
od PLN 351,753*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 16A; 310W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania...
IXYS
IXYH16N170CV1
od PLN 37,54*
za szt.
 
 szt.
onsemi
NXH40B120MNQ0SNG
od PLN 404,96*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 38A; 300W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 38A Prąd kolektora w impulsie: 76A Czas załączania: 170ns Czas wyłączania...
IXYS
IXDH30N120D1
od PLN 26,73*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65ET7XKSA1
od PLN 15,189*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 1,2kV; 85A; 1,15kW; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w impulsie: 520A Czas załączania: 73ns Czas wyłączania...
IXYS
IXYH85N120A4
od PLN 48,16*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,6 kA Uce 3300 V. 2 AG-IHVB130 3600 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,6 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 3300 V. Maksymalna strata mocy = 3600 kW Typ opakowania = AG-IHVB130
Infineon
FZ1600R33HE4BPSA1
od PLN 5 923,742*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w impulsie: 65A Czas załączania: 20ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT15GP60BG
od PLN 19,51*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic +600 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = +600 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na p...
Mitsubishi
CM600DX -24T 300G
od PLN 7 788,05001*
za 9 szt.
 
 opakowanie
onsemi
NXH020F120MNF1PTG
od PLN 607,30*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 625W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 77ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GT120B2RDQ2G
od PLN 73,01*
za szt.
 
 szt.
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 210 W (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 210 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Liczba styków = 3
Infineon
IHW40N65R6XKSA1
od PLN 8,193*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   141   142   143   144   145   146   147   148   149   150   151   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.