Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 970 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; NPT; 2,5kV; 2A; 32W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 2A Prąd kolektora w impulsie: 13,5A Czas załączania: 115ns Czas wyłączani...
IXYS
IXGH2N250
od PLN 42,49*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 7 EASY1B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = EASY1B Typ kanału = N
Infineon
FP15R12W1T4PBPSA1
od PLN 165,74*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 4,5kV; 30A; 430W; TO247HV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 4,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 632ns Czas wyłączani...
IXYS
IXYH30N450HV
od PLN 132,08*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 140 A Uce 1200 V 6 480 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 140 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6
Infineon
FS100R12KE3BOSA1
od PLN 760,676*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 240A Czas załączania: 52ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT80GA60B
od PLN 40,21*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 650 V 1 AG-EASY3B 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Konfiguracja = Pojedyncza
Infineon
FS3L100R07W3S5B11BPSA1
od PLN 3 902,946*
za 8 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; NPT; 650V; 100A; 892W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 100A Prąd kolektora w impulsie: 400A Czas załączania: 105ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT95GR65B2
od PLN 47,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 515 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 7
Infineon
FP100R12KT4BOSA1
od PLN 821,741*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 27A; 223W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w impulsie: 79A Czas załączania: 18ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT27GA90BD15
od PLN 26,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 1 790 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 1
Infineon
FD150R12RT4HOSA1
od PLN 430,504*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 6 750 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 6
Infineon
FS150R12KT4B11BOSA1
od PLN 655,987*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 43A Prąd kolektora w impulsie: 129A Czas załączania: 28ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT43GA90BD30
od PLN 33,19*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Mitsubishi Electric 1200V podwójnego modułu IGBT ma płaską podstawę i sześć sterowników na moduł. Posiada 100A ciągłego prądu kolektora i nadaje się do twardych przełączania i miękkich aplikacji, t...
Mitsubishi
CM100RX-24T 300G
od PLN 4 475,96604*
za 9 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; Planar; 1,2kV; 5A; 45W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 5A Prąd kolektora w impulsie: 9A Czas załączania: 110ns Czas wyłączania: 35...
IXYS
IXA4IF1200TC
od PLN 14,48*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V 2 94x34mm Dwa 775 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 775 W Typ opakowania = 94x34mm Konfiguracja tra...
Mitsubishi
CM100DY-13T300G
od PLN 3 632,14*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   151   152   153   154   155   156   157   158   159   160   161   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.