Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 954 ofert spośród 4 918 878 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; XPT™; 4,5kV; 30A; 430W; TO247HV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 4,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 30A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 632ns Czas wyłączani...
IXYS
IXYH30N450HV
od PLN 132,24*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 117 A Uce 650 V Moduł 300 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 117 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 300 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
F3L100R07W2E3B11BOMA1
od PLN 259,523*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 36ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT35GP120B2DQ2G
od PLN 245,13*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 20 A Uce 1200 V 3-fazy kanał: N 156 W (1 Oferta) 
Moduły IGBT, HY Electronic. Ta gama modułów IGBT firmy HY Electronic jest dostarczana w standardowych pakietach z końcówkami lutowniczymi przeznaczonymi do montażu na płytkach drukowanych. Do odpow...
HY Electronic
HYG15P120A1K1
od PLN 82,467*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 10A; 280W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 84A Czas załączania: 21ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXYH10N170CV1
od PLN 35,61*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 101 A Uce 1000 V 2 Q2BOOST - Case 180BR (styki lutowe bez zawartości Pb i bez zawartości Halide) 79 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 101 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2
onsemi
NXH450B100H4Q2F2SG
od PLN 510,695*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: SMD Obudowa: DPAK Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 6A Prąd kolektora w impulsie: 18A Czas załączania: 19ns Czas...
Infineon
IKD06N60RATMA1
od PLN 2,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 515 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 7
Infineon
FP100R12KT4BOSA1
od PLN 662,838*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 91A; 1042W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 91A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 60ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75GP120B2G
od PLN 103,15*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 7 EASY1B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 15 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = EASY1B Typ kanału = N
Infineon
FP15R12W1T4PBPSA1
od PLN 155,437*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 24A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 47ns Czas wyłączania...
IXYS
IXYH24N170CV1
od PLN 45,98*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 20 Uce 600 V 6 Moduł PowerDIP 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł PowerDIP Typ montażu = Otwór przezierny Typ kanału = N Konfiguracja ...
Mitsubishi
PSS20S92F6-AG
od PLN 79,361*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 10A; 280W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 84A Czas załączania: 21ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXYH10N170C
od PLN 26,67*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 120 A Uce 950 V 6 AG-EASY3B 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-EASY3B Typ montażu =...
Infineon
FS3L400R10W3S7FB11BPSA1
od PLN 705,895*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 27A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 27A Prąd kolektora w impulsie: 65A Czas załączania: 20ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT15GP60BG
od PLN 19,20*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   151   152   153   154   155   156   157   158   159   160   161   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.