Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 969 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4 (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 84ns C...
BASiC SEMICONDUCTOR
BGH75N65ZF1
od PLN 32,28*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 2,4 kA Uce 1200 V PRIME3+ 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 2,4 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu =...
Infineon
SP005545663
od PLN 4 062,12*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 44A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 44A Prąd kolektora w impulsie: 130A Czas załączania: 29ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT44GA60B
od PLN 31,17*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 2,4 kA Uce 1200 V PRIME3+ 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 2,4 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu =...
Infineon
SP005411822
od PLN 4 178,203*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 160A; 375W; SUPER247 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: SUPER247 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 160A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 16...
Infineon
AUIRGPS4070D0
od PLN 75,38*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 120 A Uce 950 V 6 AG-EASY3B 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = AG-EASY3B Typ montażu = Montaż...
Infineon
FS3L400R10W3S7FB11BPSA1
od PLN 704,685*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 161A Czas załączania: 37ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT54GA60BD30
od PLN 31,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Moduł Mitsubishi Electric 1200V IGBT ma płaską podstawę i sześć sterowników na moduł z przerwą IGBT. Posiada 100A ciągłego prądu kolektora i nadaje się do twardych przełączania i miękkich aplikacji...
Mitsubishi
CM100TX-24T 300G
od PLN 4 229,89101*
za 9 szt.
 
 opakowanie
Moduł IGBT Ic 20 A Uce 1200 V 7 105 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 105 W
Infineon
FP10R12W1T4BOMA1
od PLN 147,123*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT68GA60LD40
od PLN 46,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 20 A Uce 1200 V 3-fazy kanał: N 156 W (1 Oferta) 
Moduły IGBT, HY Electronic. Ta gama modułów IGBT firmy HY Electronic jest dostarczana w standardowych pakietach z końcówkami lutowniczymi przeznaczonymi do montażu na płytkach drukowanych. Do odpow...
HY Electronic
HYG15P120A1K1
od PLN 1 375,50402*
za 18 szt.
 
 opakowanie
Moduł IGBT Ic 15 A Uce 1200 V 7 EASY1B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Trójfazowy prostownik zasilający EasyPIM firmy Infineon, zintegrowany moduł IGBT z technologią TRENCHSTOP IGBT7. Ma napięcie emitera kolektora 1200 V i prąd do przodu 15 A. Jest on używany w pomocn...
Infineon
FP15R12W1T4PBPSA1
od PLN 161,029*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 96A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 84ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT65GP60B2G
od PLN 74,45*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 101 A Uce 1000 V 2 Q2BOOST - Case 180BG (sworznie bez Pb i bez Halide) 79 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 101 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2
onsemi
NXH450B100H4Q2F2PG
od PLN 734,371*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 20 A Uce 1200 V Moduł 105 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 105 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
FP10R12W1T4B3BOMA1
od PLN 3 282,75408*
za 24 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   151   152   153   154   155   156   157   158   159   160   161   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.