| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Nr artykułu: 3MTJS-2625836 Nr producenta: FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 EAN/GTIN: brak danych |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = AG-EASY3B Typ montażu = Montaż na płytce drukowanej Dalsze informacje: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Maksymalny ciągły prąd kolektora: | 120 A | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 950 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | ±20V | Maksymalna strata mocy: | 20 mW | Liczba tranzystorów: | 6 | Typ opakowania: | AG-EASY3B | Typ montażu: | Montaż na płytce drukowanej |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Dalsze słowa kluczowe: Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, Moduł IGBT, Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł diodowy, 2625836, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |