Kategorie
Konto
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 950 ofert spośród 5 017 935 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 6 750 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 750 W
Infineon
FS150R12KT4B11BOSA1
od PLN 5 249,91*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; D3PAK (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns Cz...
Microchip Technology
APT80GA90S
od PLN 50,71*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V Moduł 335 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 335 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
FP100R06KE3BOSA1
od PLN 530,534*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; Trench; 600V; 39A; 123W; TO262 (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: INFINEON TECHNOLOGIE...
Infineon
AUIRGSL4062D1
od PLN 14,79*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 200 A Uce 600 V 6 EconoPACK 600 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 600 W Typ opakowania = EconoPACK
Infineon
FS200R06KE3BOSA1
od PLN 4 631,94*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 50A; 1,5kW; PLUS247™ (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: PLUS247™ Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 460A Czas załączania: 62ns Czas wyłączani...
IXYS
IXYX50N170C
od PLN 80,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 10 Uce 600 V 6 Moduł PowerDIP 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł PowerDIP Typ montażu = Otwór przezierny Typ kanału = N Konfiguracja ...
Mitsubishi
PSS10S92F6-AG
od PLN 91,60*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO264 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns Cz...
Microchip Technology
APT80GA90LD40
od PLN 61,90*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 150 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na pł...
Mitsubishi
CM150TX -24T 300G
od PLN 5 808,69207*
za 9 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1,2kV; 15A; 127W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 15A Prąd kolektora w impulsie: 45A Czas wyłączania: 346n...
Infineon
IHW15N120R3FKSA1
od PLN 7,72*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na pł...
Mitsubishi
CM100DY-24T 300G
od PLN 492,363*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 16A; 500W; TO247HV (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 126A Czas załączania: 39ns Czas wyłączania...
IXYS
IXYH16N250CV1HV
od PLN 93,03*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 200 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 200 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Konfiguracja = Podwójna Typ montażu = Montaż na p...
Mitsubishi
CM200DY-24T 300G
od PLN 4 177,38*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 54ns C...
BASiC SEMICONDUCTOR
BGH50N65HF1
od PLN 30,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 515 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 515 W
Infineon
FP100R12KT4B11BOSA1
od PLN 716,726*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   151   152   153   154   155   156   157   158   159   160   161   ..   264   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.