Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 20 A Uce 1200 V 7 105 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445383
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP10R12W1T4BOMA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 20 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 105 W
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
20 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
105 W
Liczba tranzystorów:
7
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445383, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP10R12W1T4BOMA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 147,123*
  
Cena obowiązuje od 12 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 24 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 24 szt.
PLN 162,896*
PLN 200,362
za szt.
od 48 szt.
PLN 152,463*
PLN 187,529
za szt.
od 120 szt.
PLN 150,713*
PLN 185,377
za szt.
od 240 szt.
PLN 149,053*
PLN 183,335
za szt.
od 12000 szt.
PLN 147,123*
PLN 180,961
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.