Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 6 750 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445408
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FS150R12KT4B11BOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Liczba tranzystorów = 6
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
150 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
750 W
Liczba tranzystorów:
6
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445408, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS150R12KT4B11BOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 655,987*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 843,496*
PLN 1 037,50
za szt.
od 2 szt.
PLN 823,58*
PLN 1 013,003
za szt.
od 3 szt.
PLN 741,257*
PLN 911,746
za szt.
od 5 szt.
PLN 718,507*
PLN 883,764
za szt.
od 10 szt.
PLN 683,217*
PLN 840,357
za szt.
od 500 szt.
PLN 655,987*
PLN 806,864
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.