 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 2300 V PRIME3+ 2700 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2300 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2700 kW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu... |
|
od PLN 19 752,31602*
za 3 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 12A; 310W; TO247HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 80A Czas załączania: 32ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 74,95*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 107 A Uce 1200 V Moduł 375 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 107 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 375 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = ... |
|
od PLN 233,656*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 36A; 290W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 109A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT36GA60BD15 |
od PLN 28,23*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 728,845*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 3A; 75W; TO268HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268HV Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 3A Prąd kolektora w impulsie: 14A Czas załączania: 91ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 42,32*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V Moduł 355 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 355 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = ... |
|
od PLN 729,561*
za szt. |
|
|
|
Infineon FP10R12W1T7B11BOMA1 |
od PLN 117,39*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 54A; 416W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 161A Czas załączania: 37ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT54GA60B |
od PLN 26,33*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 117 A Uce 650 V Moduł 300 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 117 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 300 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M... |
Infineon F3L100R07W2E3B11BOMA1 |
od PLN 240,164*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 120 A Uce 950 V 6 AG-EASY3B 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-EASY3B Typ montażu =... |
Infineon FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 |
od PLN 670,276*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 8A; 280W; TO263 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO263 Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 24ns Czas wyłączania: 32... |
|
od PLN 40,40*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V 4 275 W (2 ofert) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 275 W Konfiguracja = Emiter-kolektor, poczwó... |
|
od PLN 117,30*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 68A Prąd kolektora w impulsie: 202A Czas załączania: 46ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60B |
od PLN 33,33*
za szt. |
|
|
|
Infineon FS100R12W2T7B11BOMA1 |
od PLN 308,581*
za szt. |
|
|
