![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 40A; 500W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 180A Czas załączania: 81ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 25,86* za szt. |
|
|
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) ON Semiconductor NFAQ1060L36T to w pełni zintegrowany stopień mocy falownika, składający się z wysokonapięciowego sterownika, sześciu IGBT i termistora, odpowiedni do napędzanie silników synchronic... |
|
od PLN 41,528* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 33A Prąd kolektora w impulsie: 90A Czas załączania: 26ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GP120BG |
od PLN 58,96* za szt. |
|
|
|
Infineon TDB6HK180N16RRB11BPSA1 |
od PLN 620,293* za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 22,282* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; D3PAK (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GR120S |
od PLN 27,24* za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO220-3 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO220-3 |
|
od PLN 14,982* za 2 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 360A Czas załączania: 134ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 27,40* za szt. |
|
|
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) ON Semiconductor NFVA25012NP2T to Advanced Auto IPM, który zapewnia w pełni funkcjonalny, wysokowydajny stopień wyjściowy falownika dla pojazdów hybrydowych i elektrycznych.Wbudowany termistor NTC ... |
|
od PLN 297,928* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 46A Prąd kolektora w impulsie: 140A Czas załączania: 36ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT35GP120B2DQ2G |
od PLN 248,98* za szt. |
|
|
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) ON Semiconductor NFAQ0860L33T to w pełni zintegrowany stopień mocy falownika, składający się z wysokonapięciowego sterownika, sześciu IGBT i termistora, który może być stosowany do napędzanie silni... |
|
od PLN 33,307* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 2,14* za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 230 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 230 W Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 8,873* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 25A; 521W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 25A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 26n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GR120B |
od PLN 22,88* za szt. |
|
|
IGBT Uce 650 V PG-TO247-3 (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Typ opakowania = PG-TO247-3 |
|
od PLN 12,345* za szt. |
|
|