Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką kup korzystnie w Mercateo (strona 141/256)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Moduł IGBT Ic 1,2 kA Uce 1200 V 2 PRIME2 Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,2 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = PRIME2 Typ kanału = N ...

Infineon

FF1200R12IE5PBPSA1

od PLN 2 821,292*
za szt.

Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 16A; 500W; TO247HV (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 126A Czas załączania: 39ns Czas wyłączania...

IXYS

IXYH16N250CV1HV

od PLN 92,68*
za szt.

IGBT Uce 950 V TO-247 Pojedynczy 453 W (1 Oferta)

Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalna strata mocy = 453 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Wymiary = 1...

onsemi

FGY75T95LQDT

od PLN 29,817*
za szt.

Moduł IGBT 2 Q0PACK - Case 180AJ (styki lutownicze bez zawartości Pb i bez zawartości Halide) 118 W (1 Oferta)

Maksymalna strata mocy = 118 W

onsemi

NXH40B120MNQ0SNG

od PLN 404,04*
za szt.

Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; T-Max (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns C...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT64GA90B2D30

od PLN 52,14*
za szt.

Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V Moduł 335 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 335 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...

Infineon

FP100R06KE3BOSA1

od PLN 6 805,18*
za 10 szt.

Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 8A; 280W; TO247HV (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 24ns Czas wyłączania: ...

IXYS

IXYH8N250CV1HV

od PLN 72,22*
za szt.

Moduł IGBT Ic 1,5 kA Uce 1700 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,5 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = PRIME3+ Typ kanału = N...

Infineon

FF1500R17IP5BPSA1

od PLN 7 945,566*
za 2 szt.

Moduł IGBT 2 Q0BOOST - Case 180AJ (styki lutownicze bez zawartości Pb i bez zawartości Halide) 69 W (1 Oferta)

Liczba tranzystorów = 2

onsemi

NXH80B120MNQ0SNG

od PLN 317,629*
za szt.

Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO264 (1 Oferta)

Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns C...

MICROCHIP (MICROSEMI)

APT80GA90LD40

od PLN 62,52*
za szt.

Moduł IGBT 4 Styki wciskane F1-4PACK z wstępnie naniesionym materiałem termoizolacyjnym (TIM) (bez zawartości Pb i bez (1 Oferta)

Liczba tranzystorów = 4

onsemi

NXH020F120MNF1PTG

od PLN 677,335*
za szt.

Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta)

Mitsubishi Electric 1200V podwójnego modułu IGBT ma płaską podstawę i sześć sterowników na moduł. Posiada 100A ciągłego prądu kolektora i nadaje się do twardych przełączania i miękkich aplikacji, t...

Mitsubishi

CM100DY-24T 300G

od PLN 3 025,61*
za 10 szt.

Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-3 (1 Oferta)

Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 54ns C...

BASiC SEMICONDUCTOR

BGH50N65HS1

od PLN 32,73*
za szt.

Moduł IGBT Ic 1,6 kA Uce 3300 V. 2 AG-IHVB130 3600 kW (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,6 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 3300 V. Maksymalna strata mocy = 3600 kW Typ opakowania = AG-IHVB130

Infineon

FZ1600R33HE4BPSA1

od PLN 5 924,138*
za szt.

Moduł IGBT 3 Wzmocnienie 3-kanałowy Q1 — Case, styki lutownicze 180BQ (bezoluzowe Pb) 156 W (1 Oferta)

Liczba tranzystorów = 3

onsemi

NXH40B120MNQ1SNG

od PLN 623,71*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 .. 256 Dalej

Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką (3 828 ofert spośród 4 767 820 artykułów)

"IGBT"