 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 12A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 44ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 8,36*
za szt. |
|
|
|
Infineon FF1800R17IP5PBPSA1 |
od PLN 3 882,514*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 44A; 337W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 44A Prąd kolektora w impulsie: 130A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT44GA60BD30 |
od PLN 28,98*
za szt. |
|
|
|
Infineon FF1200R12IE5PBPSA1 |
od PLN 2 516,89*
za szt. |
|
|
|
Infineon DDB6U104N16RRBPSA1 |
od PLN 435,707*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 50A; 694W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 200A Czas załączania: 66ns ... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GR120L |
od PLN 43,47*
za szt. |
|
|
IGBT Uce 950 V TO-247 Pojedynczy 453 W (1 Oferta) Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalna strata mocy = 453 W Typ opakowania = TO-247 Typ montażu = Otwór przezierny Liczba styków = 3 Konfiguracja tranzystora = Pojedynczy Wymiary = 1... |
|
od PLN 29,747*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 200A; 1,63kW; TO264 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 200A Prąd kolektora w impulsie: 1kA Czas załączania: 135ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 66,23*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 2300 V PRIME3+ 2700 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2300 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2700 kW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu... |
|
od PLN 6 583,78*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 62A; 543W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 62A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 49ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GP60B2DQ2G |
od PLN 53,93*
za szt. |
|
|
|
Infineon FF1500R12IE5BPSA1 |
od PLN 3 259,199*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; XPT™; 2,5kV; 8A; 280W; TO247HV (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247HV Napięcie kolektor-emiter: 2,5kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 8A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 24ns Czas wyłączania: ... |
|
od PLN 71,10*
za szt. |
|
|
|
Infineon TDB6HK180N16RRBPSA1 |
od PLN 585,145*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 85A; 962W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 113ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT85GR120L |
od PLN 63,00*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 317,839*
za szt. |
|
|
