![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
Fotografia | | | | Zamów |
![](/p.gif) |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 67ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 20,88* za szt. |
|
|
|
Infineon FP10R12W1T7B11BOMA1 |
od PLN 120,311* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 72A; 625W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 190A Czas załączania: 55ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GP60B2DQ2G |
od PLN 59,32* za szt. |
|
|
|
Infineon FF1500R17IP5PBPSA1 |
od PLN 3 645,644* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 0,3µs Czas wyłączania... |
|
od PLN 21,19* za szt. |
|
|
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) Typ opakowania = DIP38 Typ montażu = Montaż na śrubie |
|
od PLN 38,877* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 94ns Czas wyłączania:... |
|
od PLN 34,20* za szt. |
|
|
|
|
od PLN 622,62* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; TO264MAX (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 96A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 85n... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT65GP60L2DQ2G |
od PLN 99,49* za szt. |
|
|
|
Infineon FS100R12W2T7B11BOMA1 |
od PLN 292,431* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania: 2... |
|
od PLN 39,94* za szt. |
|
|
|
Infineon FF1800R12IE5PBPSA1 |
od PLN 6 173,601* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 430A Czas załączania: 125ns Czas wyłączania... |
|
od PLN 20,39* za szt. |
|
|
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) Typ opakowania = DIP38 Typ montażu = Montaż na śrubie |
|
od PLN 283,622* za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 29ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT25GP90BDQ1G |
od PLN 39,27* za szt. |
|
|