Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 970 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 225A Czas załączania: 67ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXXH40N65B4D1
od PLN 20,88*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 10 A Uce 1200 V 7 EASY1B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 10 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = EASY1B Typ kanału = N
Infineon
FP10R12W1T7B11BOMA1
od PLN 120,311*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 72A; 625W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 72A Prąd kolektora w impulsie: 190A Czas załączania: 55ns C...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50GP60B2DQ2G
od PLN 59,32*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,5 kA Uce 1700 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Podwójny moduł IGBT pakietu Infineon z technologią połączeń międzysystemowych IGBT5 i .XT. Ma on napięcie emitera kolektora 1700 V. Moduły N-Channel TRENCHSTOP i FIELD STOP IGBT nadają się do stero...
Infineon
FF1500R17IP5PBPSA1
od PLN 3 645,644*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 0,3µs Czas wyłączania...
IXYS
IXGH10N170
od PLN 21,19*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) 
Typ opakowania = DIP38 Typ montażu = Montaż na śrubie
onsemi
NFAQ1060L36T
od PLN 38,877*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 60A Prąd kolektora w impulsie: 265A Czas załączania: 94ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXXH60N65B4H1
od PLN 34,20*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT 3 Wzmocnienie 3-kanałowy Q1 — Case, styki lutownicze 180BQ (bezoluzowe Pb) 156 W (1 Oferta) 
Liczba tranzystorów = 3
onsemi
NXH40B120MNQ1SNG
od PLN 622,62*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; TO264MAX (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264MAX Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 96A Prąd kolektora w impulsie: 250A Czas załączania: 85n...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT65GP60L2DQ2G
od PLN 99,49*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 6 Moduł Sześciopak kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = Moduł Typ kanału = N Ko...
Infineon
FS100R12W2T7B11BOMA1
od PLN 292,431*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania: 2...
IXYS
IXGT16N170A
od PLN 39,94*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 1200 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Podwójny moduł IGBT pakietu Infineon z technologią połączeń międzysystemowych IGBT5 i .XT. Ma on napięcie emitera kolektora 1800 V. Moduły N-Channel TRENCHSTOP i FIELD STOP IGBT nadają się do zasto...
Infineon
FF1800R12IE5PBPSA1
od PLN 6 173,601*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 430A Czas załączania: 125ns Czas wyłączania...
IXYS
IXXH80N65B4
od PLN 20,39*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT DIP38 (1 Oferta) 
Typ opakowania = DIP38 Typ montażu = Montaż na śrubie
onsemi
NFVA25012NP2T
od PLN 283,622*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 36A Prąd kolektora w impulsie: 110A Czas załączania: 29ns...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP90BDQ1G
od PLN 39,27*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   141   142   143   144   145   146   147   148   149   150   151   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.