Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  > IGBT

  Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką  (3 970 ofert spośród 4 927 662 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"IGBT"

Pojęcia nadrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 1,6 kA Uce 3300 V. 2 AG-IHVB130 3600 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,6 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 3300 V. Maksymalna strata mocy = 3600 kW Typ opakowania = AG-IHVB130
Infineon
FZ1600R33HE4BPSA1
od PLN 5 930,528*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 40A; 360W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 40A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 55ns Czas wyłączania...
IXYS
IXGH40N120A2
od PLN 39,61*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 101 A Uce 1000 V 2 Q2BOOST - Case 180BG (sworznie bez Pb i bez Halide) 79 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 101 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2
onsemi
NXH450B100H4Q2F2PG
od PLN 805,692*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 11A; 190W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 11A Prąd kolektora w impulsie: 40A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania: 2...
IXYS
IXGT16N170AH1
od PLN 64,71*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na pł...
Mitsubishi
CM100RX-24T 300G
od PLN 828,815*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; XPT™; 1,7kV; 16A; 310W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 16A Prąd kolektora w impulsie: 100A Czas załączania: 35ns Czas wyłączania...
IXYS
IXYH16N170C
od PLN 28,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 10 Uce 600 V 6 Moduł PowerDIP 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Inteligentny moduł zasilania Mitsubishi Electric 10 A, 600 V z dwoma obwodami ma 6 zestaw złączy ze sterownikiem. Steruje on zasilaniem pod napięciem i zabezpieczeniem przed zwarciem. Zastosowano 3...
Mitsubishi
PSS10S92F6-AG
od PLN 561,65*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: IGBT; PT; 1,2kV; 54A; 625W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 54A Prąd kolektora w impulsie: 170A Czas załączania: 47ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT45GP120B2DQ2G
od PLN 95,17*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 1700 V 2 PRIME3+ Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = PRIME3+ Typ kanału = N...
Infineon
FF1800R17IP5PBPSA1
od PLN 3 886,034*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO247-3 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 75A Czas załączania: 54ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXGH24N170A
od PLN 53,73*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 105 A Uce 1200 V 7 EconoPIM 355 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 105 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 355 W Typ opakowania = EconoPIM
Infineon
FP75R12KT3BOSA1
od PLN 762,118*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 Uce 1200 V 6 Moduł 3-fazy kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Montaż na panelu Typ kanału = N Konfiguracja tranzys...
Mitsubishi
PM100CG1B120300G
od PLN 1 652,53*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; PT; 600V; 102A; 780W; T-Max (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 600V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 102A Prąd kolektora w impulsie: 307A Czas załączania: 64ns ...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT102GA60B2
od PLN 60,23*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 515 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 515 W
Infineon
FP100R12KT4B11BOSA1
od PLN 820,991*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 24A; 250W; TO268 (1 Oferta) 
Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO268 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 24A Prąd kolektora w impulsie: 150A Czas załączania: 105ns Czas wyłączania:...
IXYS
IXGT24N170
od PLN 34,15*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   141   142   143   144   145   146   147   148   149   150   151   ..   265   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.