 | | | | |
Fotografia | | | | Zamów |
|
|
|
|
Infineon FF1800R17IP5PBPSA1 |
od PLN 3 890,274*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: T-Max Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 50A Prąd kolektora w impulsie: 160A Czas załączania: 37ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT40GP90B2DQ2G |
od PLN 78,27*
za szt. |
|
|
|
Infineon FF1500R17IP5PBPSA1 |
od PLN 3 653,389*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 80A; 625W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 80A Prąd kolektora w impulsie: 239A Czas załączania: 49ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT80GA90B |
od PLN 45,27*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 730,655*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,2kV; 85A; 962W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 1,2kV Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 85A Prąd kolektora w impulsie: 340A Czas załączania: 113ns... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT85GR120L |
od PLN 63,39*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V 2 94x34mm Dwa 775 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 775 W Typ opakowania = 94x34mm Konfiguracja tra... |
Mitsubishi CM100DY-13T300G |
od PLN 363,786*
za szt. |
|
|
|
|
od PLN 9,85*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 1,8 kA Uce 2300 V PRIME3+ 2700 kW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,8 kA Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2300 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 2700 kW Typ opakowania = PRIME3+ Typ montażu... |
|
od PLN 19 761,28602*
za 3 szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264 (1 Oferta) Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO264 Napięcie kolektor-emiter: 900V Napięcie bramka - emiter: ±30V Prąd kolektora: 64A Prąd kolektora w impulsie: 193A Czas załączania: 44ns C... |
MICROCHIP (MICROSEMI) APT64GA90LD30 |
od PLN 49,72*
za szt. |
|
|
|
Infineon FF1800R12IE5PBPSA1 |
od PLN 3 953,491*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: BASiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 650V Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 75A Prąd kolektora w impulsie: 300A Czas załączania: 104ns ... |
BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65HF1 |
od PLN 29,49*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 120 A Uce 950 V 6 AG-EASY3B 20 mW (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 120 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 950 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-EASY3B Typ montażu =... |
Infineon FS3L400R10W3S7FB11BPSA1 |
od PLN 669,126*
za szt. |
|
|
Tranzystor: IGBT; NPT; 1,7kV; 10A; 110W; TO247-3 (1 Oferta) Producent: IXYS Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie kolektor-emiter: 1,7kV Napięcie bramka - emiter: ±20V Prąd kolektora: 10A Prąd kolektora w impulsie: 70A Czas załączania: 0,3µs Czas wyłączania... |
|
od PLN 21,28*
za szt. |
|
|
Moduł IGBT Ic 100 A Uce 600 V Moduł 335 W (1 Oferta) Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 335 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M... |
|
od PLN 611,603*
za szt. |
|
|
