Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 1,2 kA Uce 1200 V 2 PRIME2 Dwa kanał: N 20 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2184321
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FF1200R12IE5PBPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 1,2 kA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Typ opakowania = PRIME2
Typ kanału = N
Liczba styków = 10
Konfiguracja tranzystora = Dwa
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
1,2 kA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
2
Konfiguracja:
Podwójna
Typ opakowania:
PRIME2
Typ kanału:
N
Liczba styków:
10
Konfiguracja tranzystora:
Dwa
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, 2184321, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF1200R12IE5PBPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 2 829,352*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 3 184,533*
PLN 3 916,976
za szt.
od 2 szt.
PLN 2 980,752*
PLN 3 666,325
za szt.
od 5 szt.
PLN 2 921,182*
PLN 3 593,054
za szt.
od 10 szt.
PLN 2 884,602*
PLN 3 548,06
za szt.
od 500 szt.
PLN 2 829,352*
PLN 3 480,103
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.