Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V 7 515 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445379
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP100R12KT4BOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Liczba tranzystorów = 7
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
515 W
Liczba tranzystorów:
7
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445379, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP100R12KT4BOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 821,741*
  
Cena obowiązuje od 5 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 10 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 10 szt.
PLN 847,771*
PLN 1 042,758
za szt.
od 20 szt.
PLN 845,211*
PLN 1 039,61
za szt.
od 50 szt.
PLN 832,791*
PLN 1 024,333
za szt.
od 100 szt.
PLN 825,621*
PLN 1 015,514
za szt.
od 5000 szt.
PLN 821,741*
PLN 1 010,741
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.