Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 150 A Uce 1200 V 1 790 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445819
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FD150R12RT4HOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 150 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Liczba tranzystorów = 1
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
150 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
790 W
Liczba tranzystorów:
1
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt, 2445819, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FD150R12RT4HOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 429,694*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 560,167*
PLN 689,005
za szt.
od 2 szt.
PLN 546,702*
PLN 672,443
za szt.
od 5 szt.
PLN 479,814*
PLN 590,171
za szt.
od 10 szt.
PLN 453,144*
PLN 557,367
za szt.
od 500 szt.
PLN 429,694*
PLN 528,524
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.