Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 100 A Uce 1200 V Moduł 355 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2737408
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FS75R12KT3GBOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 355 W
Typ opakowania = Moduł
Typ montażu = Montaż na panelu
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
100 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
355 W
Typ opakowania:
Moduł
Typ montażu:
Montaż na panelu
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2737408, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS75R12KT3GBOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 7 614,43*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 761,443* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 8 622,10*
PLN 10 605,183
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 8 579,35*
PLN 10 552,6005
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 8 437,96*
PLN 10 378,6908
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 7 653,32*
PLN 9 413,5836
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 7 614,43*
PLN 9 365,7489
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.