Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 261 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 90A; 463W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 45ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C2M0025120D
od PLN 301,10*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V Moduł 3 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 3 kW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
FZ600R12KE4HOSA1
od PLN 538,758*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 100V; 25A; 150W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 36mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryz...
ST Microelectronics
STP40NF10L
od PLN 2,95*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 61 A Uce 1200 V 2 Case 180BF (bez zawartości Pb i bez zawartości Halide), sworznie wciskane 186 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 61 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 186 W
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
od PLN 556,505*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 39A; 165W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 39A Rezystancja w stanie przewodzenia: 60mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 165W Polaryzac...
ROHM Semiconductor
SCT3060ALGC11
od PLN 59,30*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FS75R12KT4B15BPSA1
od PLN 480,4266*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 63A; Idm: 222A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120S
od PLN 150,65*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 45 A Uce 1200 V 4 EASY1B Szereg kanał: N 215 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 45 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 215 W Typ opakowania = EASY1B Typ kanału = N Li...
Infineon
F3L25R12W1T4B27BOMA1
od PLN 3 060,63408*
za 24 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 15A; Idm: 48A; 187W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: SMD Obudowa: TO263-7 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,16Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 187W Po...
Genesic Semiconductor
G3R160MT17J
od PLN 41,06*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 61 A Uce 1200 V 2 Case 180BF (bez zawartości Pb i bez zawartości Halide), sworznie wciskane 186 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 61 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
od PLN 6 480,048*
za 24 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 200V; 25A; 160W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 25A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 160W Polaryz...
ST Microelectronics
STP40NF20
od PLN 9,01*
za szt.
 
 szt.
Infineon DDB6U75N16W1R (2 ofert) 
Infineon DDB6U75N16W1R
Infineon
DDB6U75N16W1RBOMA1
od PLN 135,477*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC060SMA070S
od PLN 38,91*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Uce 1200 V Q0BOOST Dwa kanał: N 186 W (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 186 W Typ opakowania = Q0BOOST Typ montażu = Montaż powierzchniowy Typ kanału = N Licz...
onsemi
NXH100B120H3Q0STG
od PLN 282,71*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 27A; 71W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 71W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC360SMA120S
od PLN 27,26*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   491   492   493   494   495   496   497   498   499   500   501   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.