Moduł IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-411

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-2580903

Producent:
Infineon

Nr producenta:
FS75R12KT4B15BPSA1

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V
Typ opakowania = AG-ECONO2B-411

Dalsze informacje:


Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20.0V
Typ opakowania:	AG-ECONO2B-411

Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2580903, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FS75R12KT4B15BPSA1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 478,7766*

Cena obowiązuje od 7 500 szt.

Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 15 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

od 15 szt.	PLN 501,1566*	PLN 616,42262	za szt.
od 30 szt.	PLN 498,4566*	PLN 613,10162	za szt.
od 75 szt.	PLN 489,1666*	PLN 601,67492	za szt.
od 150 szt.	PLN 483,6966*	PLN 594,94682	za szt.
od 7500 szt.	PLN 478,7766*	PLN 588,89522	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.