Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 177 ofert spośród 4 838 832 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Uce 1200 V Q0BOOST Dwa kanał: N 186 W (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 186 W Typ opakowania = Q0BOOST Typ montażu = Montaż powierzchniowy Typ kanału = N Licz...
onsemi
NXH100B120H3Q0STG
od PLN 283,79*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 600V; 0,76A; 27W (1 Oferta) 
Uwaga! Produkt dostępny w sprzedaży tylko w ilości dostępnej na stanie magazynowym. W przypadku zamówienia większej ilości, zostanie ona zmieniona na ilość dostępną. Producent: STMicroelectronics M...
ST Microelectronics
STU1HN60K3
od PLN 0,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V Moduł 280 W (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
FP50R12KT3BOSA1
od PLN 457,08*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1kV; 13,5A; 83W; TO247-4 (1 Oferta) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Czas gotowości: 16ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 13,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,17Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpr...
Wolfspeed
C3M0120100K
od PLN 31,44*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 820 A Uce 750 V 6 AG-HYBRIDD-1 kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 820 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-HYBRIDD-1 Typ kana...
Infineon
FS820R08A6P2LBBPSA1
od PLN 1 915,835*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 120V; 60A; 300W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 120V Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryz...
ST Microelectronics
STP80NF12
od PLN 5,188*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 A Uce 600 V 2 122x62mm Dwa 1.69 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = 122x62mm Konfiguracja tranzysto...
Mitsubishi
CM450DX-13T300G
od PLN 6 515,70*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 6A; Idm: 16A; 88W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,45Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 88W Pola...
Genesic Semiconductor
G3R450MT17D
od PLN 20,38*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Uce 2 V PG-TO247-3 Pojedynczy kanał: N 833 W (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 2 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 5.7V Maksymalna strata mocy = 833 W Typ opakowania = PG-TO247-3 Typ kanału = N Liczba styków = 3 Konfiguracja tranzysto...
Infineon
AIKQ120N60CTXKSA1
od PLN 1 243,2402*
za 30 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 950V; 4,5A; 150W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 4,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryz...
ST Microelectronics
STW7N95K3
od PLN 5,82*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V Moduł 500 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 500 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
F3L150R12W2H3B11BPSA1
od PLN 5 511,0051*
za 15 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK-7 Czas gotowości: 16ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpras...
Wolfspeed
C3M0120100J
od PLN 35,62*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 825 A Uce 3300 V. 2 AG-IHVB130 2400 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 825 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 3300 V. Maksymalna strata mocy = 2400 kW Typ opakowania = AG-IHVB130
Infineon
FZ825R33HE4DBPSA1
od PLN 4 447,994*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 200V; 1A; 3,3W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SOT223 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 1A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,5Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 3,3W Polaryzac...
ST Microelectronics
STN4NF20L
od PLN 0,98*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 Uce 1200 V 2 Moduł Półmostek układ podwójny kanał: N (1 Oferta) 
Mitsubishi Electric 1200V podwójnego modułu IGBT ma płaską podstawę i sześć sterowników na moduł. Posiada 450A prądu stałego kolektora i nadaje się do twardych przełączania i miękkich aplikacji, ta...
Mitsubishi
CM450DY-24T 300G
od PLN 1 112,937*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   491   492   493   494   495   496   497   498   499   500   501   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.