Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V Moduł 500 W


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2737366
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     F3L150R12W2H3B11BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 500 W
Typ opakowania = Moduł
Typ montażu = Montaż na panelu
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
500 W
Typ opakowania:
Moduł
Typ montażu:
Montaż na panelu
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2737366, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, F3L150R12W2H3B11BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 5 511,0051*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 15 szt. (od PLN 367,40034* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 6 324,49005*
PLN 7 779,12276
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 6 301,03005*
PLN 7 750,26696
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 6 177,10005*
PLN 7 597,83306
za opakowanie
od 7 opakowania
PLN 5 662,335*
PLN 6 964,67205
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 5 596,935*
PLN 6 884,23005
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 5 511,0051*
PLN 6 778,53627
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.