Tranzystor kup korzystnie w Mercateo (strona 499/1 394)

Fotografia

Artykuł

Producent/nr

Cena

Zamów

Moduł IGBT Uce 1200 V Q0BOOST Dwa kanał: N 186 W (1 Oferta)

NXH100B120H3Q0 to moduł zasilający z podwójnym etapem podniesienia napięcia zawierający dwa układy IGBT 50A/1200 V, dwie diody SIC 20A/1200 V i dwie diody zapobiegające połączeniu równoległemu 25 A...

onsemi

NXH100B120H3Q0STG

od PLN 225,945*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 20V; 1,4A; Idm: 9,2A (2 ofert)

Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 20V Prąd drenu: 1,4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,35W Polaryza...

ST Microelectronics

STR2N2VH5

od PLN 0,86*
za szt.

Moduł sterownika IGBT 24-pinowy 3 A 24-przewodowy SSOP IR2214SSPBF CMOS 20V (2 ofert)

Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 3 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 24 Typ opakowania = 24-przewodowy SSOPns Liczba sterowników = 2

Infineon

IR2214SSPBF

od PLN 17,34*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH3™; unipolarny; 620V; 3A; 30W; ESD (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 620V Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzac...

ST Microelectronics

STP6N62K3

od PLN 2,21*
za szt.

Moduł tranzystorowy IGBT Ic 50 A Uce 650 V 2 PG-TO247-3 305 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 50 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 305 W Typ opakowania = PG-TO247-3

Infineon

IKW50N65RH5XKSA1

od PLN 17,387*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,05kV; 4A; Idm: 16A; 25W; TO220FP (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 1,05kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 25W Polaryz...

ST Microelectronics

STF7N105K5

od PLN 7,42*
za szt.

Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCV57090ADWR2G 22V (1 Oferta)

ON Semiconductor NCD57090 to jednokanałowy sterownik bramki IGBT/MOSFET o wysokim natężeniu, z wewnętrzną izolacją galwaniczną 5 kVrms, zaprojektowany z myślą o wysokiej wydajności i niezawodności ...

onsemi

NCV57090ADWR2G

od PLN 4,553*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolarny; 240V; 0,16A; 0,23W (2 ofert)

Producent: VISHAY Montaż: SMD Obudowa: SOT23 Napięcie dren-źródło: 240V Prąd drenu: 0,16A Rezystancja w stanie przewodzenia: 4Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 0,23W Polaryzacja: unipola...

Vishay

TN2404K-T1-E3

od PLN 1,69*
za szt.

Moduł IGBT Uce 2 V PG-TO247-3 Pojedynczy kanał: N 833 W (1 Oferta)

Infineon IGBT posiada technologię TRENCHSTOP i Field stop do zastosowań motoryzacyjnych 600V oferuje bardzo mały rozkład parametrów, wysoką wytrzymałość, stabilizację temperatury i bardzo wysoką pr...

Infineon

AIKQ120N60CTXKSA1

od PLN 43,727*
za szt.

Infineon IRF250P225 tranzystor 100 V (2 ofert)

Infineon

IRF250P225

od PLN 16,98*
za szt.

Moduł sterownika IGBT 36-pinowy 2 A SOIC-36 2ED020I12FAXUMA2 CMOS 20V (1 Oferta)

Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 2 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 36 Typ opakowania = SOIC-36ns

Infineon

2ED020I12FAXUMA2

PLN 20,681*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 2,8A; Idm: 18A (1 Oferta)

Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 2,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,6Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 85W Polaryz...

ST Microelectronics

STP6N80K5

od PLN 4,25*
za szt.

Moduł tranzystorowy IGBT Ic 75 A Uce 650 V 2 PG-TO247-3 395 W (1 Oferta)

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 15V Maksymalna strata mocy = 395 W Typ opakowania = PG-TO247-3

Infineon

IKW75N65RH5XKSA1

od PLN 24,928*
za szt.

Tranzystor: N-MOSFET; unipolarny; 1,2kV; 0,2A; 33W; TO252; 1,6us (1 Oferta)

Producent: IXYS Montaż: SMD Obudowa: TO252 Czas gotowości: 1,6µs Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 0,2A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 33W P...

IXYS

IXTY02N120P

od PLN 4,78*
za szt.

Moduł sterownika IGBT 8-pinowy 6,5 A SOIC NCV57090CDWR2G 22V (1 Oferta)

onsemi

NCV57090CDWR2G

od PLN 5,604*
za szt.

Liczba artykułów na stronie: 10 15 20 50 100

strona: Powrót 1 .. 491 492 493 494 495 496 497 498 499 500 501 .. 1394 Dalej

Tranzystor (20 902 ofert spośród 4 918 850 artykułów)

"Tranzystor"