Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 178 ofert spośród 4 838 883 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W Polaryz...
Infineon
IMW65R072M1HXKSA1
od PLN 22,64*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Uce 600 V 6 SDIP2B-26L TYP X Izolacja kanał: N (2 ofert) 
STMicroelectronics SLLIMM - 2. Seria IPM, 3-fazowy falownik, 15 A, 600 V, odporny na zwarcia IGBT, zapewnia niewielki, wysokowydajny napęd AC w prostej, wytrzymałej konstrukcji.85 KO NTC, UL 1434, ...
ST Microelectronics
STGIB10CH60TS-X
od PLN 40,72*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 12,3A; 250W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 12,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,19Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polary...
ST Microelectronics
STW25N80K5
od PLN 14,37*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 750 A Uce 1700 V 2 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 750 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FF750R17ME7DB11BPSA1
od PLN 1 242,272*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 26A; Idm: 93A; 130W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 130W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC060SMA070S
od PLN 39,63*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 85 A Uce 650 V 4 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 4
Infineon
F3L150R07W2H3B11BPSA1
od PLN 287,35*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 30V; 80A; 300W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 30V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 6,5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryz...
ST Microelectronics
STP80NF03L-04
od PLN 4,43*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-62MM Szereg kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = AG-62MM Typ kanału = N Konfig...
Infineon
FF600R12KT4HOSA1
od PLN 729,366*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 28A; Idm: 100A; 143W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 28A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 143W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC060SMA070B
od PLN 36,21*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 14-pinowy 6,5 A SOIC NCD57530DWKR2G PWM 20V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = PWM Prąd wyjściowy = 6,5 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 14 Typ opakowania = SOIC
onsemi
NCD57530DWKR2G
od PLN 8,899*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 6A; 110W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 6A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,2Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryza...
ST Microelectronics
STP7N80K5
od PLN 4,033*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 820 A Uce 750 V 6 Moduł Sześciopak kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Napęd Infineon HybridPACK to bardzo kompaktowy sześciopakowy moduł zoptymalizowany pod kątem pojazdów hybrydowych i elektrycznych. Moduł zasilania wdraża nową generację EDT2 IGBT, która jest samoch...
Infineon
FS820R08A6P2BBPSA1
od PLN 1 982,23*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 54A; Idm: 192A; 283W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 54A Rezystancja w stanie przewodzenia: 44mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 283W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC035SMA070B4
od PLN 67,58*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 900 A Uce 1200 V 1 4.3 kW (2 ofert) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 900 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 4.3 kW
Infineon
FZ900R12KE4HOSA1
od PLN 774,596*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 55V; 80A; Idm: 320A (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: SMD Obudowa: D2PAK Napięcie dren-źródło: 55V Prąd drenu: 80A Rezystancja w stanie przewodzenia: 8mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 300W Polaryzacja...
ST Microelectronics
STB140NF55T4
od PLN 4,13*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   491   492   493   494   495   496   497   498   499   500   501   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.