Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 177 ofert spośród 4 838 886 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 73 A Uce 1000 V 6 93x47 (LUT PIN) (Pb-Free i Halide-Free Solder pins), Q2BOOST - PIM53 79 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 73 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6
onsemi
NXH300B100H4Q2F2SG
od PLN 668,525*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 90A; 463W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 45ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 90A Rezystancja w stanie przewodzenia: 25mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C2M0025120D
od PLN 305,68*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7
Infineon
FP50R12KE3BOSA1
od PLN 685,768*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolarny; 600V; 7A; Idm: 33A; 36W (1 Oferta) 
Producent: ONSEMI Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 600V Prąd drenu: 7A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,38Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 36W Polaryzacja: unipola...
onsemi
FCPF11N60F
od PLN 4,94*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 45 A Uce 1700 V 6 EasyPACK 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 45 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = EasyPACK Typ montażu = ...
Infineon
FS75R17W2E4PB11BPSA1
od PLN 240,268*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 3A; Idm: 12A; 69W (1 Oferta) 
Producent: BRIDGELUX Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,69Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 69W Polaryzacja: uni...
Bridgelux
BXW3M1K7H
od PLN 9,11*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 900 A Uce 1700 V 2 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 900 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FF900R17ME7B11BPSA1
od PLN 1 532,517*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™; unipolarny; 200V; 47A; 190W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 200V Prąd drenu: 47A Rezystancja w stanie przewodzenia: 34mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryz...
ST Microelectronics
STP75NF20
od PLN 8,998*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 4 Q0PACK - Case 180AB (bez Pb i bez Halide) 188 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 188 W Typ opakowania = Q0PACK - Case 180AB (be...
onsemi
NXH80T120L3Q0S3G
od PLN 267,256*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 4,9A; 69W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 20ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 4,9A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1,1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpr...
Wolfspeed
C2M1000170D
od PLN 26,05*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 EASY2B kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Trójfazowy Infineon moduł IGBT z trójfazowym wejściem EasyPIM i technologią TRENCHSTOP IGBT4. Ma napięcie emitera kolektora 1200 V i prąd do przodu 75 A. Jest on używany w serwomotor i sterowanie s...
Infineon
FP75R12KT4PBPSA1
od PLN 734,373*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 150V; 15A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5x6 Napięcie dren-źródło: 150V Prąd drenu: 15A Rezystancja w stanie przewodzenia: 75mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 29W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG15N15B
od PLN 0,69*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 45 A Uce 600 V Moduł 150 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 45 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 150 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mo...
Infineon
FS30R06W1E3BOMA1
od PLN 2 528,19408*
za 24 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 43A; Idm: 160A; 438W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 43A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 438W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R45MT17K
od PLN 109,03*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 950 A Uce 750 V 6 HybridPACK 870 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 950 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 870 W Typ opakowania = HybridPACK
Infineon
FS950R08A6P2BBPSA1
od PLN 15 537,17604*
za 6 szt.
 
 opakowanie
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   491   492   493   494   495   496   497   498   499   500   501   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.