Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 177 ofert spośród 4 838 832 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 ECONOD Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Moduł Infineon EconoDual Dual IGBT z technologią TRENCHSTOP IGBT4, która ma napięcie emitera kolektora 1200 V. Jest on stosowany w sterowaniu silnikiem i napędza, przemienniku mocy i falowniku turb...
Infineon
IFF600B12ME4PB11BPSA1
od PLN 873,922*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 89A; Idm: 315A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 89A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC015SMA070S
od PLN 137,27*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 14-pinowy 6,5 A SOIC NCV57530DWKR2G PWM 20V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = PWM Prąd wyjściowy = 6,5 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 14 Typ opakowania = SOIC
onsemi
NCV57530DWKR2G
od PLN 8,899*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 800V; 8,8A; 190W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 800V Prąd drenu: 8,8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,3Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 190W Polaryza...
ST Microelectronics
STW15N80K5
od PLN 11,491*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 840 A Uce 1700 V 1 3,35 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 840 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 3,35 kW
Infineon
FZ600R17KE4HOSA1
od PLN 776,319*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 22A; 83W; D2PAK-7; 24ns (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK-7 Czas gotowości: 24ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C3M0120090J
od PLN 32,97*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 900 A Uce 1200 V PrimePACK2 Szereg kanał: N 510 kW (2 ofert) 
Moduły IGBT, Infineon. Oferta modułów Infineon firmy IGBT zapewnia niską utratę przełączania przy przełączaniu do 60 kHz. IGBT obejmuje szereg modułów mocy, takich jak pakiety EKONOMICZNE z napięci...
Infineon
FF900R12IE4
od PLN 1 780,281*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 60V; 35A; 30W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220FP Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 18mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 30W Polaryzac...
ST Microelectronics
STP55NF06FP
od PLN 2,37*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 ECONODUAL Wspólny nadajnik kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = ECONODUAL Typ kanału = N Liczb...
Infineon
FF600R12ME4EB11BOSA1
od PLN 837,759*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 700V; 99A; Idm: 350A; 400W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 700V Prąd drenu: 99A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC015SMA070B
od PLN 115,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł sterownika IGBT 16-pinowy 2 A DSO-16 1ED020I12FA2XUMA2 CMOS 20V (1 Oferta) 
Typ układu logicznego = CMOS Prąd wyjściowy = 2 A Napięcie zasilania = 20V Liczba styków = 16 Typ opakowania = DSO-16ns
Infineon
1ED020I12FA2XUMA2
od PLN 15,362*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolarny; 950V; 11A; 250W (1 Oferta) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 950V Prąd drenu: 11A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 250W Polaryza...
ST Microelectronics
STW22N95K5
od PLN 18,49*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 900 A Uce 1200 V 1 4.3 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 900 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 4.3 kW
Infineon
FZ900R12KE4HOSA1
od PLN 782,233*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 24ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C3M0120090D
od PLN 31,38*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT PIM56 (1 Oferta) 
Typ opakowania = PIM56
onsemi
NXH200B100H4F2SG
od PLN 492,675*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   491   492   493   494   495   496   497   498   499   500   501   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.