Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 900 A Uce 1200 V 1 4.3 kW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445889
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FZ900R12KE4HOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 900 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 4.3 kW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
900 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
4.3 kW
Liczba tranzystorów:
1
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445889, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FZ900R12KE4HOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 782,233*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 1 003,215*
PLN 1 233,954
za szt.
od 2 szt.
PLN 963,335*
PLN 1 184,902
za szt.
od 3 szt.
PLN 866,993*
PLN 1 066,401
za szt.
od 5 szt.
PLN 843,913*
PLN 1 038,013
za szt.
od 10 szt.
PLN 811,773*
PLN 998,481
za szt.
od 500 szt.
PLN 782,233*
PLN 962,147
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.