Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 840 A Uce 1700 V 1 3,35 kW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445882
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FZ600R17KE4HOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 840 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 3,35 kW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
840 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1700 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
3,35 kW
Liczba tranzystorów:
1
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445882, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FZ600R17KE4HOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 776,319*
  
Cena obowiązuje od 5 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 10 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 10 szt.
PLN 810,659*
PLN 997,111
za szt.
od 20 szt.
PLN 806,279*
PLN 991,723
za szt.
od 50 szt.
PLN 791,509*
PLN 973,556
za szt.
od 100 szt.
PLN 783,039*
PLN 963,138
za szt.
od 5000 szt.
PLN 776,319*
PLN 954,872
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.