Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (21 177 ofert spośród 4 838 832 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Infineon IRF200P222 tranzystor 30 V (2 ofert)
Infineon
IRF200P222
od PLN 23,74*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 385 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7
Infineon
FP75R12KT4B11BOSA1
od PLN 7 701,40*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 4A; Idm: 12A; 63W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 4A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 63W Polary...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC750SMA170S
od PLN 23,41*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 750 A Uce 1200 V 2 AG-ECONOD Szereg 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 750 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-ECONOD Typ montażu =...
Infineon
FF750R12ME7B11BPSA1
od PLN 1 229,529*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 50A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: DFN5060-8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 38W Polaryza...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG80G06A
od PLN 1,19*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 A Uce 1200 V 2 AG-ECONOD Szereg 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Liczba tranzystorów = 2 Typ opakowania = AG-ECONOD Typ montażu = Montaż...
Infineon
FF450R12ME7B11BPSA1
od PLN 6 268,97*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 48A; Idm: 200A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 48A Rezystancja w stanie przewodzenia: 45mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Pol...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC035SMA170B
od PLN 195,65*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Uce 1200 V AG-ECONO2B-411 (1 Oferta) 
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20.0V Typ opakowania = AG-ECONO2B-411
Infineon
FS75R12KT4B15BPSA1
od PLN 478,7766*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolarny; 300V; 53A; 313W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247AC Napięcie dren-źródło: 300V Prąd drenu: 53A Rezystancja w stanie przewodzenia: 19mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 313W Pola...
Infineon
IRF300P226
od PLN 25,11*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 EconoPIM (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = EconoPIM
Infineon
FP75R12KT4BOSA1
od PLN 7 585,26*
za 10 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 5A; Idm: 12A; 68W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 940mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 68W Pola...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC750SMA170B
od PLN 17,27*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 760 A Uce 1200 V 6 AG-HYBRIDD-1 kanał: N (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 760 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = AG-HYBRIDD-1 Typ kanału = N...
Infineon
FS380R12A6T4BBPSA1
od PLN 2 368,279*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 100V; 35A; 150W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 100V Prąd drenu: 35A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 150W Polaryz...
ST Microelectronics
STP40NF10
od PLN 2,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 A Uce 1200 V 2 ECONODUAL Wspólny nadajnik kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = ECONODUAL Typ kanału = ...
Infineon
FF450R12ME4EB11BPSA1
od PLN 5 618,54202*
za 6 szt.
 
 opakowanie
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,7kV; 5,3A; 78W; D2PAK-7 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK-7 Czas gotowości: 20ns Napięcie dren-źródło: 1,7kV Prąd drenu: 5,3A Rezystancja w stanie przewodzenia: 1Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpras...
Wolfspeed
C2M1000170J
od PLN 26,98*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   491   492   493   494   495   496   497   498   499   500   501   ..   1412   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.