Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 385 W

Liczba:

opakowanie

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-2445846

Producent:
Infineon

Nr producenta:
FP75R12KT4B11BOSA1

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Liczba tranzystorów = 7

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	385 W
Liczba tranzystorów:	7

Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445846, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP75R12KT4B11BOSA1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 7 701,40*

Cena obowiązuje od 500 opakowania

1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 770,14* za szt.)

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 opakowanie	PLN 8 034,00*	PLN 9 881,82	za opakowanie
od 2 opakowania	PLN 7 988,89*	PLN 9 826,3347	za opakowanie
od 5 opakowania	PLN 7 836,23*	PLN 9 638,5629	za opakowanie
od 10 opakowania	PLN 7 748,35*	PLN 9 530,4705	za opakowanie
od 500 opakowania	PLN 7 701,40*	PLN 9 472,722	za opakowanie

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.