Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 280 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2445835
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FP50R12KE3BOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 280 W
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
75 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
280 W
Liczba tranzystorów:
7
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2445835, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FP50R12KE3BOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 686,038*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 887,006*
PLN 1 091,017
za szt.
od 2 szt.
PLN 861,425*
PLN 1 059,553
za szt.
od 5 szt.
PLN 736,058*
PLN 905,351
za szt.
od 10 szt.
PLN 721,658*
PLN 887,639
za szt.
od 500 szt.
PLN 686,038*
PLN 843,827
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.