Kategorie
Polska
Polski
Konto
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 750 A Uce 1700 V 2 20 mW


Liczba:  opakowanie  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2500224
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FF750R17ME7DB11BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 750 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
750 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1700 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
2
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, moduł igbt, 2500224, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF750R17ME7DB11BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 8 147,47*
  
Cena obowiązuje od 500 opakowania
1 opakowanie zawiera 10 szt. (od PLN 814,747* za szt.)
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 opakowanie
PLN 8 459,51*
PLN 10 405,1973
za opakowanie
od 2 opakowania
PLN 8 430,11*
PLN 10 369,0353
za opakowanie
od 5 opakowania
PLN 8 286,56*
PLN 10 192,4688
za opakowanie
od 10 opakowania
PLN 8 203,07*
PLN 10 089,7761
za opakowanie
od 500 opakowania
PLN 8 147,47*
PLN 10 021,3881
za opakowanie
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.