Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  >  >  > Artykuł

Moduł IGBT Ic 750 A Uce 1700 V 2 20 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2500224
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FF750R17ME7DB11BPSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 750 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
750 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1700 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
2
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2500224, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF750R17ME7DB11BPSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 1 242,272*
  
Cena obowiązuje od 5 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 10 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 10 szt.
PLN 1 280,472*
PLN 1 574,981
za szt.
od 20 szt.
PLN 1 275,842*
PLN 1 569,286
za szt.
od 50 szt.
PLN 1 255,572*
PLN 1 544,354
za szt.
od 100 szt.
PLN 1 245,322*
PLN 1 531,746
za szt.
od 5000 szt.
PLN 1 242,272*
PLN 1 527,995
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.