Moduł IGBT Ic 85 A Uce 650 V 4 20 mW

Liczba:

szt.

Informacje o produktach

Nr artykułu:
3MTJS-2481202

Producent:
Infineon

Nr producenta:
F3L150R07W2H3B11BPSA1

EAN/GTIN:
brak danych

Słowa kluczowe:

Maksymalny ciągły prąd kolektora = 85 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Liczba tranzystorów = 4

Dalsze informacje:


Maksymalny ciągły prąd kolektora:	85 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	650 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:	±20V
Maksymalna strata mocy:	20 mW
Liczba tranzystorów:	4

Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2481202, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, F3L150R07W2H3B11BPSA1

Przegląd warunków¹

Termin dostawy

Stan magazynu

Cena

od PLN 287,35*

Cena obowiązuje od 500 szt.

Ceny ruchome

Liczba zamawianego produktu	Netto	Brutto	Jednostka

1 szt.	PLN 401,514*	PLN 493,862	za szt.
od 2 szt.	PLN 375,612*	PLN 462,003	za szt.
od 5 szt.	PLN 353,189*	PLN 434,422	za szt.
od 10 szt.	PLN 327,474*	PLN 402,793	za szt.
od 20 szt.	PLN 312,39*	PLN 384,24	za szt.
od 500 szt.	PLN 287,35*	PLN 353,441	za szt.

* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.

Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.