|  |
| |
| Nr artykułu:
3MTJS-1958770 Nr producenta:
NXH100B120H3Q0STG EAN/GTIN:
brak danych |
| |
|
| | |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 186 W
Typ opakowania = Q0BOOST
Typ montażu = Montaż powierzchniowy
Typ kanału = N
Liczba styków = 22
Konfiguracja tranzystora = Dwa
Wymiary = 66.2 x 32.8 x 11.9mm
Minimalna temperatura robocza = -40°C Dalsze informacje: | | Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 1200 V | Maksymalne napięcie bramka-emiter: | ±20V | Maksymalna strata mocy: | 186 W | Konfiguracja: | Podwójna | Typ opakowania: | Q0BOOST | Typ montażu: | Montaż powierzchniowy | Typ kanału: | N | Liczba styków: | 22 | Konfiguracja tranzystora: | Dwa | Wymiary: | 66.2 x 32.8 x 11.9mm | Maksymalna temperatura robocza: | +150°C | Minimalna temperatura robocza: | -40°C | Szerokość: | 32.8mm |
|
| | |
| | | |
| Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor SMD, Tranzystory SMD, Tranzystor, Tranzystory, tranzystor smd, 1958770, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, NXH100B120H3Q0STG |
| | |
| |