Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 61 A Uce 1200 V 2 Case 180BF (bez zawartości Pb i bez zawartości Halide), sworznie wciskane 186 W


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2456962
Producent:
     onsemi
Nr producenta:
     NXH100B120H3Q0PG
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 61 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V
Maksymalna strata mocy = 186 W
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
61 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
±20V
Maksymalna strata mocy:
186 W
Liczba tranzystorów:
2
Typ opakowania:
Case 180BF (bez zawartości Pb i bez zawartości Halide), sworznie wciskane
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2456962, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, onsemi, NXH100B120H3Q0PG
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 556,505*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 678,769*
PLN 834,886
za szt.
od 2 szt.
PLN 667,317*
PLN 820,80
za szt.
od 4 szt.
PLN 657,095*
PLN 808,227
za szt.
od 5 szt.
PLN 629,745*
PLN 774,586
za szt.
od 8 szt.
PLN 618,691*
PLN 760,99
za szt.
od 10 szt.
PLN 595,491*
PLN 732,454
za szt.
od 12 szt.
PLN 584,765*
PLN 719,261
za szt.
od 500 szt.
PLN 556,505*
PLN 684,501
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.