Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V Moduł 3 kW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2737414
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FZ600R12KE4HOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V
Maksymalna strata mocy = 3 kW
Typ opakowania = Moduł
Typ montażu = Montaż na panelu
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
600 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
+/-20V
Maksymalna strata mocy:
3 kW
Typ opakowania:
Moduł
Typ montażu:
Montaż na panelu
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2737414, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FZ600R12KE4HOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 538,758*
  
Cena obowiązuje od 5 000 szt.
Zamówienia wyłącznie w wielokrotnościach 10 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
od 10 szt.
PLN 610,033*
PLN 750,341
za szt.
od 20 szt.
PLN 607,443*
PLN 747,155
za szt.
od 50 szt.
PLN 597,993*
PLN 735,531
za szt.
od 100 szt.
PLN 541,978*
PLN 666,633
za szt.
od 5000 szt.
PLN 538,758*
PLN 662,672
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.