Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 896 ofert spośród 4 927 425 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 AG-ECONOD Szereg 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-ECONOD Typ montażu =...
Infineon
FF600R12ME7B11BPSA1
od PLN 975,828*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 60V; 26A; 80W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 26A Rezystancja w stanie przewodzenia: 28mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 80W Polaryzac...
ST Microelectronics
STP45NF06
od PLN 2,279*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 ECONODUAL Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = ECONODUAL Typ kanału = ...
Infineon
FF600R12ME4B72BOSA1
od PLN 820,636*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1kV; 22A; 83W; D2PAK-7; 16ns (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: SMD Obudowa: D2PAK-7 Czas gotowości: 16ns Napięcie dren-źródło: 1kV Prąd drenu: 22A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpras...
Wolfspeed
C3M0120100J
od PLN 34,97*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 900 A Uce 1700 V 2 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 900 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 20 mW
Infineon
FF900R17ME7B11BPSA1
od PLN 1 534,787*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 50A; Idm: 140A; 333W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 50A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 333W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R40MT12D
od PLN 54,35*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 400 A Uce 650 V 6 AG-EASY3B 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 400 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = AG-EASY3B
Infineon
F3L400R07W3S5B59BPSA1
od PLN 548,653*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 8A; Idm: 16A; 74W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 8A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,35Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 74W Pola...
Genesic Semiconductor
G3R350MT12D
od PLN 14,74*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 ECONODUAL Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Infineon EconoDual podwójny moduł IGBT z technologią TRENCHSTOP IGBT4, która ma napięcie emitera kolektora 1200 V i prąd kolektora 600 A. Jest on stosowany w sterowaniu silnikiem i napędza, zastoso...
Infineon
FF600R12ME4B72BOSA1
od PLN 828,306*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolarny; 60V; 42A; 110W (3 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 42A Rezystancja w stanie przewodzenia: 14mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 110W Polaryza...
ST Microelectronics
STP60NF06L
od PLN 2,32*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V Moduł 3 kW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 3 kW Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
FZ600R12KE4HOSA1
od PLN 515,02*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W (2 ofert) 
Producent: INFINEON TECHNOLOGIES Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 650V Prąd drenu: 18A Rezystancja w stanie przewodzenia: 94mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 96W Polaryz...
Infineon
IMW65R072M1HXKSA1
od PLN 22,55*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 950 A Uce 750 V 6 HybridPACK 870 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 950 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 750 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 870 W Typ opakowania = HybridPACK
Infineon
FS950R08A6P2BBPSA1
od PLN 2 584,356*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 63A; Idm: 200A; 400W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R30MT12K
od PLN 80,52*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 409 A Uce 1000 V 4 93x47 (LUT PIN) (bez Pb/bez zawartości Halide), PIM44 959 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 409 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1000 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Maksymalna strata mocy = 959 W
onsemi
NXH400N100H4Q2F2SG
od PLN 1 159,124*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   481   482   483   484   485   486   487   488   489   490   491   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.