Kategorie
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj
Koszyk zakupów
 
 

Moduł IGBT Ic 600 A Uce 1200 V 2 ECONODUAL Dwa kanał: N 20 mW


Liczba:  szt.  
Informacje o produktach
Product Image
Product Image
Nr artykułu:
     3MTJS-2184341
Producent:
     Infineon
Nr producenta:
     FF600R12ME4B72BOSA1
EAN/GTIN:
     brak danych
Słowa kluczowe:
IGBT
Tranzystor bipolarny z izolowaną br...
Tranzystory bipolarne z izolowaną b...
Moduł IGBT
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 600 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V
Maksymalna strata mocy = 20 mW
Typ opakowania = ECONODUAL
Typ kanału = N
Liczba styków = 11
Konfiguracja tranzystora = Dwa
Dalsze informacje:
Maksymalny ciągły prąd kolektora:
600 A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:
1200 V
Maksymalne napięcie bramka-emiter:
20V
Maksymalna strata mocy:
20 mW
Liczba tranzystorów:
2
Konfiguracja:
Podwójna
Typ opakowania:
ECONODUAL
Typ kanału:
N
Liczba styków:
11
Konfiguracja tranzystora:
Dwa
Dalsze słowa kluczowe: Moduły IGBT, Tranzystor, Tranzystory, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką, 2184341, Półprzewodniki, Elementy dyskretne, Tranzystory IGBT, Infineon, FF600R12ME4B72BOSA1
Przegląd warunków1
Termin dostawy
Stan magazynu
Cena
od PLN 820,636*
  
Cena obowiązuje od 500 szt.
Wybierz osobiście warunki zakupu
Poleć artykułDodaj do listy zakupów
Ceny ruchome
Liczba zamawianego produktu
Netto
Brutto
Jednostka
1 szt.
PLN 1 004,451*
PLN 1 235,475
za szt.
od 2 szt.
PLN 961,457*
PLN 1 182,592
za szt.
od 5 szt.
PLN 869,996*
PLN 1 070,095
za szt.
od 10 szt.
PLN 855,816*
PLN 1 052,654
za szt.
od 500 szt.
PLN 820,636*
PLN 1 009,382
za szt.
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.