Kategorie
Polska
Polski
Moje Mercateo
Zaloguj się / zarejestruj		Koszyk zakupów
 		 
 >  >  >  > Tranzystor

  Tranzystor  (20 902 ofert spośród 4 918 850 artykułów)

Poniższe filtry pomogą udoskonalić listę artykułów do wyszukiwania „Tranzystor“ zgodnie z Twoimi wytycznymi.:
Filtruj: Cena oddoPLN  Słowo kluczowe 
Podgląd

"Tranzystor"

Pojęcia nadrzędne
Pojęcia podrzędne
Wyświetl
☐
☐
☐
☐
☐
Fotografia
Artykuł ^v
Producent/nr ^v
Cena ^v
Zamów
Powrót
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 23A; 97W; TO247-3; 24ns (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 24ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 23A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,12Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C3M0120090D
od PLN 31,37*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 400 A Uce 1700 V 2 62 mm Dwa kanał: N 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 400 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1700 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = 62 mm Typ kanału = N Li...
Infineon
FF400R17KE4HOSA1
PLN 861,173*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 55A; 262W; TO247 (1 Oferta) 
Producent: ROHM SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 55A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 262W Polaryza...
ROHM Semiconductor
SCT3040KLGC11
od PLN 156,14*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 45 A Uce 600 V Moduł 150 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 45 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 600 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 150 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = Mo...
Infineon
FS30R06W1E3BOMA1
od PLN 100,93*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 63A; Idm: 200A; 400W (1 Oferta) 
Producent: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaż: THT Obudowa: TO247-4 Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 30mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 400W Pol...
Genesic Semiconductor
G3R30MT12K
od PLN 79,75*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V 7 EconoPIM (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 7 Typ opakowania = EconoPIM
Infineon
FP75R12KT4BOSA1
od PLN 662,955*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolarny; 60V; 7,5A (1 Oferta) 
Producent: YANGJIE TECHNOLOGY Montaż: SMD Obudowa: SOP8 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 13mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 1,24W Polaryzac...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJS12G06A
od PLN 0,46*
za szt.
 
 szt.
Infineon DDB6U75N16W1R (2 ofert) 
Infineon DDB6U75N16W1R
Infineon
DDB6U75N16W1RBOMA1
od PLN 125,656*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 900V; 7,5A; 54W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 20ns Napięcie dren-źródło: 900V Prąd drenu: 7,5A Rezystancja w stanie przewodzenia: 0,28Ω Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpr...
Wolfspeed
C3M0280090D
od PLN 15,42*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 400 A Uce 650 V 6 AG-EASY3B 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 400 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 650 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = ±20V Liczba tranzystorów = 6 Typ opakowania = AG-EASY3B
Infineon
F3L400R07W3S5B59BPSA1
od PLN 550,183*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 60A; 330W; TO247-3 (2 ofert) 
Producent: Wolfspeed(CREE) Montaż: THT Obudowa: TO247-3 Czas gotowości: 54ns Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 60A Rezystancja w stanie przewodzenia: 40mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpra...
Wolfspeed
C2M0040120D
od PLN 147,48*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 450 A Uce 1200 V 2 AG-ECONOD Szereg 20 mW (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 450 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = 20V Maksymalna strata mocy = 20 mW Typ opakowania = AG-ECONOD Typ montażu =...
Infineon
FF450R12ME7B11BPSA1
od PLN 608,753*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; SiC; unipolarny; 1,2kV; 63A; Idm: 222A; 370W (1 Oferta) 
Producent: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaż: SMD Obudowa: D3PAK Napięcie dren-źródło: 1,2kV Prąd drenu: 63A Rezystancja w stanie przewodzenia: 31mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 370W Polar...
MICROCHIP (MICROSEMI)
MSC025SMA120S
od PLN 150,07*
za szt.
 
 szt.
Moduł IGBT Ic 75 A Uce 1200 V Moduł 280 W (1 Oferta) 
Maksymalny ciągły prąd kolektora = 75 A Maksymalne napięcie kolektor-emiter = 1200 V Maksymalne napięcie bramka-emiter = +/-20V Maksymalna strata mocy = 280 W Typ opakowania = Moduł Typ montażu = M...
Infineon
FP50R12KT3BOSA1
od PLN 521,629*
za szt.
 
 szt.
Tranzystor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolarny; 60V; 75A; 125W (2 ofert) 
Producent: STMicroelectronics Montaż: THT Obudowa: TO220-3 Napięcie dren-źródło: 60V Prąd drenu: 75A Rezystancja w stanie przewodzenia: 5,6mΩ Typ tranzystora: N-MOSFET Moc rozpraszana: 125W Polaryz...
ST Microelectronics
STP100N6F7
od PLN 3,675*
za szt.
 
 szt.
Dalej
Liczba artykułów na stronie: 10   15   20   50   100    strona: Powrót   1   ..   481   482   483   484   485   486   487   488   489   490   491   ..   1394   Dalej

Wyszukiwanie podobieństw: FACT®Finder przez Omikron
* Ceny oznaczone gwiazdką są cenami netto i nie zawierają obowiązującej stawki VAT.
Nasza oferta skierowana jest wyłącznie do przedsiębiorstw, osób prowadzących działalność gospodarczą i wykonujących wolne zawody.